第9章IC工艺薄膜物理淀积技术.pptVIP

9.3. PVD的主要应用 PVD技术主要用于金属膜的制备 （也可以用于非金属薄膜材料的生长） 9.3.1 主要金属材料 连线材料（铝Al、铝铜合金、铜Cu） 阻挡层金属（W、Ti、Mo、Ta等） 硅化物（Pt、W、Ti等） 金属填充物（W等） 其它 *真空度对生长膜质量(zhìliàng)的影响 **材料纯度对生长膜质量(zhìliàng)的影响 ***技术方法对生长膜质量(zhìliàng)的影响 第三十一页，共54页。 Silicon and Select Wafer Fab Metals (at 20°C) 第三十二页，共54页。 9.4. 器件中的金属膜 在器件中的作用： —欧姆电极、连线、肖特基接触 9.4.1.欧姆接触与肖特基接触（半导体物理） 1、金属功函数与半导体亲合能对金—半接触时的界面空间电荷区的影响 阻挡层和反阻挡层的形成 2、界面态的影响 ？ 费米能级(néngjí)钉扎 3、隧穿效应 4、与半导体载流子浓度的关系 第三十三页，共54页。 5、实现低欧姆接触的途径 高掺杂（正面） 粗表面（背面(bèimiàn)） 合金（双面）：合金层和扩散层 表面态的形成 6、实现肖特基接触的途径 表面态的处理—— 金属的选择 表面的处理 镀膜温度和速