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IGBT 介绍 精品文档 mosfet 和 igbt的区别： 从结构来说，以 N 型沟道为例，IGBT 与 MOSFET （VDMOS ）的差别在于MOSFET 的衬底为 N 型， IGBT 的衬底为 P 型；从原理上说 IGBT 相当与一个 mosfet 和一个 BIpolar的组合，通过背面 P 型层 的空穴注入降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流等问题；从产品来说，IGBT 一般 用在高压功率产品上，从 600V 到几千伏都有；MOSFET