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一． 电子线路期末试卷及答案 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (1) 在半导体内部，只有电子是载流子 . (2) 在 N 型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子 . (3 ）一般来说，硅晶体二极管的死区电压 ( 门槛电压 ) 小子锗晶体二极管的死区电压 . (4) 在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流 . (5) 晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流 I CQ选得偏低 . (6) 用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒 ( 通常是红色棒 ) 所连接的二极管的管脚是二极管 的正极，另一电极是负极 . (7) 三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况 . (8) 在单管放大电路中，若 VG不变，只要改变集电极电阻 Rc 的值就可改变集电极电流 Ic 的值 . (9) 两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为 Av1 、Av2 ，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为 Av ，Av = Av1 +Av2 . (10) 晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大 . 二．选择题 （2’× 10 ） 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (1) 当晶体二极管的 PN结导通后，则参加导电的是 ( ). A ．少数载流子 B ．多数载流子 C ．既有少数载流子又有多数载流子 (2) 在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为 ( ). o c c o c c o c c A．v ＝i R B ．v ＝-R i C ．v ＝-I R (3) 用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到 ( ). A．R×100 Ω或 R×1000 Ω挡 B ． R×1 Ω C ．R× 10KΩ挡 (4) 当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于 (). A．大电阻 B ．断开的开关 C ．接通的开关 (5) 晶体三极管工作在饱和状态时，它的 I C将 ( ). B B B C G A．随 I 增加而增加 B ．随 I 增加而减小 C ．与 I 无关，只决定于 R 和 V (6) 共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是 ( ). A．同相位 B ．相位差 90° C ．相位差 180° (7)NPN 型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管 ( ). A．基极电流不变； B ．集电极对发射极电压 VCE下降； C ．集电极对发射极电压 VCE上升 (8) 当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将 ( ). A．增大 B ．反向 C ．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻 RB 的作用是 ( ). A．放大电流 B ．调节偏置电流