光刻实验报告.docVIP

微加工技术实验报告 一、实验名称:光刻 二、实验目的: 1.加深对光刻基本原理的理解,掌握光刻的基本实验步骤;2.培养自己的实验动手能力; 三、实验原理: 光刻是通过光化合反应,将掩膜版上的电路图图形暂时转移到覆盖在半导体晶体上的光刻胶,然后利用光刻胶为掩膜,对下方材料选择性加工(刻蚀或注入),从而在半导体晶片上获得相应电路图形. 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序. 1.表面清洗烘干目的是:(1)除去表面的污染物(颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);(2)除去水蒸气,使基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性. 2.旋涂光刻胶:决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄;影响光刻胶均匀性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时间点有关.一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关. 光刻胶分为正胶和负胶两种.正胶,不溶于显影液;曝光后,曝光的部分可溶于显影液,从而在光刻胶上得到的图形与掩膜版上的一致.正胶的优点是分辨率高、对比度高,线条边缘清晰,在深亚微米工艺中占主导地位. 负胶,溶于显影液;曝光后,曝光的部分不溶于显影液,从而在光刻