贵州大学半导体器件物理复习题...docVIP

2014年贵州大学半导体器件物理复习题.. 2014年贵州大学半导体器件物理复习题.. PAGE / NUMPAGES 2014年贵州大学半导体器件物理复习题.. 2014 年贵州大学半导体器件物理复习题 画出 n 型和 p 型硅衬底上理想的金属 - 半导体接触 （理想金属 - 半导体接触的含义： 金属 - 半导体界面 无界面态， 不考虑镜像电荷的作用） 的能带图， (a) m s, (b) m s. 分别指出该接触是欧姆接触还是整流 接触 ? （要求画出接触前和接触后的能带图） 理想金属 --n 硅半导体接触前的能带图 ( m s) 理想金属 --n 硅半导体接触均衡态能带图 ( m s) 理想金属 --p 硅半导体接触均衡态能带图 ( m s ) 理想金属 --p 硅半导体接触均衡态能带图 ( m s) 2. 画出 Al-SiO 2 -p 型 Si 衬底构成的 MOS 构造均衡态的能带图，说明半导体表面状态。 Al 的电子亲和势 =4.1eV ，Si 的电子亲和势 =4.05eV 。假设栅极 -氧化层 -衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 1 半导体表面处于耗尽或反型状态。 重混杂的 p+多晶硅 栅极 -二氧化硅 -n 型半导体衬底形成的 MOS 构造，画出 MOS 构造在均衡态的能带图，说明半导体表面状态。假设栅极 -氧化层 - 衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 4. 重混杂的 n+多晶硅 栅极 -二氧化硅 -p 型半导体衬底形成的 MOS 构造，画出 MOS 构造在均衡态的能带图，说明半导体表面状态。假设栅极 -氧化层 - 衬底无界面态，氧化层为理想的绝缘层。 画出能带图，说明 MOSFET 的 DIBL 效应。 从能带图的变化说明 pnpn 构造从正向阻断到正导游通的变换过程。 7. 画出突变 pn 结正偏及反偏条件下的能带图， 要求画出耗尽区及少量载流子扩散区的准费米能级， 说 明画法依照。 正偏 pn 结能带图说明 1：在 –xp 处，空穴浓度等于 p 区空穴浓度，空穴准费米能级等于 p 区均衡态费 米能级。在耗尽区，空穴浓度下降，但本征费米能级下降，依据载流子浓度计算公式，可以为空穴浓度的 下降是由本征费米能级的下降惹起的，而空穴准费米能级在耗尽区近似为常数。空穴注入 n 区中性区后， 将与电子复合，经过几个扩散长度后，复合殆尽，最后与 n 区均衡态费米能级重合。所以空穴准费米能级 在 n 区扩散区内渐渐高升，并最后与 EFn 合一。同理可说明电子准费米能级的变化趋向。 反偏 pn 结能带图说明： 外加电场增强了空间电荷区的电场，空间电荷增添，空间电荷区变宽，势垒高升， n 区空间电荷区外侧的电子准费米能级的变化几乎为零，在空间电荷区，电子浓度快速降低，但因为 本征费米能级快速上涨，依照非均衡载流子浓度公式，电子准费米能级在空间电荷区的变化可忽视不计， 在空间电荷区外的 P 型侧的几个扩散长度内，电子浓度渐渐高升，最后等于 P 区的均衡值，所以，电子的 准费米能级也渐渐上涨，最后与 P 区的空穴准费米能级合一，同理可解说反偏 PN 结空穴费米能级的变化。 用能带图说明 ESAKI 二极管工作原理。 器件工作机理和观点 2 简述 pn 结突变空间电荷区近似（耗尽近似）的观点。 概要：冶金界面两边的浓度差—多半载流子扩散—界面 n 型侧留下不行动的带正电的电离施主，界面 型侧留下不行动的带负电的电离受主。电离施主和电离受主形成的地区称为空间电荷区。由电离施主指 向电离受主的电场称为自建电场。自建电场对载流子有反方向的漂移作用。当扩散作用与漂移作用达到动向均衡时，空间电荷区电荷固定，自建电场的大小固定，接触电势差为定值。 “突变空间电荷区近似”模型以为，因为自建电场的作用，可近似以为空间电荷区内的自由载流子— 电子和空穴 被完整“扫出”该地区，只剩下电离受主和电离施主原子，空间电荷区是一个高阻区，所以空 间电荷区又称为耗尽区或阻拦层。别的，空间电荷区的界限固然是缓变的，但计算表示过分区很窄，所以， 可近似以为空间电荷区界限是突变的。空间电荷区外是电中性的，与空间电荷区内对比，电阻率很小，可 近似为零。这三个近似条件，称为突变空间电荷区近似或突变耗尽近似。 2.简述 pn 结空间电荷区的正向复合电流和反向产生电流的成因，它们对 pn 结的电流 - 电压关系有何影响？ 概要： pn 结处于非均衡态时，空间电荷区载流子浓度关系式为 np ni2 .exp( qV / kT ) pn 结正 偏时 ， V 0, np ni2 , 耗 尽区 有电 子 - 空 穴 复合而 形成 的复 合电 流， 电流 大小等 于 qn i W exp( qV / 2kT ) ，小的正偏