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高效率开关电源设计实例 -- 10W 同步整流 Buck 变换器 以下设计实例中， 包含了各种技巧来提高开关电源的总体效率。 有源钳位和元损吸收电 路的设计主要依靠经验来完成的，所以不在这里介绍。 采用新技术时必须小心，因为很多是有专利的，可能需要直接付专利费给专利持有人， 或在购置每一片控制 IC 芯片时，支付附加费用。在将这些电源引入生产前，请注意这 个问题。 10W同步整流 应用 此设计实例是 Buck 变换器 PWM设计实例 1 的再设计，它包括了如何设计同步整流器 ( 板载的 10W 降压 Buck 变换器)。 在设计同步整流开关电源时， 必须仔细选择控制 IC。 为了效率最高和体积最小， 一般同 步控制器在系统性能上各有千秋， 使得控制器只是在供给商提到的应用场合中性能较好。 很多运行性能的微妙之处不能确定，除非认真读过数据手册。例如，每当作者试图设计 一个同步整流变换器，并试图使用现成买来的 IC 芯片时， 3／ 4 设计会被丢弃。这是因 为买来的芯片功能或工作模式往往无法改变。 更不用说， 当发现现成方案不能满足需求 时，是令人沮丧的 ( 见图 20 的电路图 )。 设计指标 输入电压范围： DC+10～+14V 输出纹波电压： +30mV(峰峰值 ) 输出调整： ± 1％ 最大工作温度： +40 ℃ “黑箱〞预估值 * 2A=10.0W(最大 ) 功率开关损耗 (11.1W-10W) * 续流二极管损耗： (1l.lW-10W) * 输入平均电流 高输入电压时： 估计峰值电流： 11.1W ／ 14V=0． 8A 1． 4Iout(rated)=1 ． 4× 2． 0A=2． 8A 设计工作频率为 300kHz。 电感设计 (参见 正激式滤波扼流圈的设计 ) 最恶劣的工作情况是在高输入电压时。 Vin(max) ——可能的最大输入电压。 Vout ——输出电压。 Iout(min) ——最小负载时的电流。 fsw ——工作频率。 电感是个环形外表封装元件，市场上有多种标准外表封装的电感，这里选择的是 Coileraft 公司的 D03340P-333(33 μH)。 功率开关和同步整流器 MOSFET的选择 功率开关 ：功率开关要用一个变压器耦合的 N 沟道功率 MOSFE。T这里打算使用一个 式中 S0-8 封装的双 N沟道 MOSFE，T以节省 PCB空间。 最大输入电压是 DCl4V。 因此， 可以选用 VDSS 不低于 DC+30V、 峰值电流是 2． 8A 的 MOSFE。T 选择过程的第一步是确定所用 MOSFET的最大 RDS〔on〕， 通过热模型可以确定这个值， 最大 的 RDS(on)可由下式得到：同时希望器件的耗散功率小于 1W， 所以估计的 RDS(on) 应小于所以 选 FDS6912A双 N沟道 MOSFE，T 它是 S0-8 封装， 10V 栅极电压时的导通电阻为 28mΩ。 同步二极管 ：要用一个 大约是同步 MOSFE续额定容量的 30％的肖特基二极管与 MOSFET内部二极管并联 ，30V 时约为 0． 66A。 这里使用 MBRSl30， 该二极管在流过 0． 66A 时有 0． 35V的正向压降。 可替换的元件 ：在写本书时， 仙童半导体公司出品了一个集成的肖特基二极管和 MOSFE，T 肖特基二极管直接并在 MOSFE硅片上 (syncFET) 。SyncFET有一个 40mΩN沟道 MOSFE，T 与一个 28mΩSyncFET一起封装，型号为 FDS6982S。 输出电容 (参见 输出级的设计 ) 输出电容值由以下公式确定： 输入和输出滤波电容主要考虑的是流入电容的纹波电流。 在这个实例中， 纹波电流和电感交 流电流是相同的，电感电流最大值限定在 2． 8A，纹波电流峰峰值为 1． 8A，有效值大约 为 O． 6A(约为峰峰值的 1／ 3)。 采用外表安装钽电容，因为它的 ESR只有电解电容的 10％～ 20％。在环境温度 +85。 C= 时，电容将降额 30％使用。 最正确的