ZnO半导体材料制备与合成...doc

ZnO半导体资料的制备与合成.. ZnO半导体资料的制备与合成.. PAGE / NUMPAGES ZnO半导体资料的制备与合成.. ZnO 半导体资料的制备与合成 ( 安徽工业大学 , 资料科学与工程 ) 摘 要 : 氧化锌半导体资料以其优秀的光电性能在光电子、 传感器、透明导体等领域获取宽泛应用。综述了氧化锌半导体功能资料在敏感资料、压电资料、导电薄膜等方面的性能、应用及薄膜的制 备技术 , 相对于三维块体资料 , 氧化锌薄膜能够适应大规模集成电路的需要 , 更具发展前程和研究价值。氧化锌薄膜的性质随混杂组分和制备条件的不一样而表现出很大的差别性。 1.重点词 : 氧化锌 ; 半导体资料 ; 薄膜 ; 光电性能 Abstract: Znicoxide has a wide range of technological applications as semiconductive material including photoelectron, sense organ, tansparent conductor and others. This paper concentrates on the properties and applications o f ZnO in sensitive ma terials, piezoe lectric m aterials and conductive film, also on techniques which the thin film was prepared by. Contrasting with monolith materia ls, the ZnO thinfilm can meet the demands of molectron and possesses a grea tdevelopment futureand resea rchvalue. The ZnO thin film can be doped with a variety of ions and prepared with m any techniques to exhibit different properties. K ey words : ZnO; semiconductive mteria ;l thin film; optica l and electrical property. 稀磁性半导体 1． 1从磁性角度出发，半导体资料能够区分为非磁半导体 (nonmagneticsemiconductor) 、稀磁半 导体 (diluted magnetic semiconductor ， DMSs)和磁半导体 (magnetic semiconductor) 三种种类。 磁性半导体集半导电性和磁性于一体，能够同时利用电子的电荷和自旋，兼顾惯例半导体电子学 和磁电子学的优胜性，被以为是 21世纪最重要的电子学资料。在自旋电子领域显现出特别广阔的 应用远景，惹起了人们对其研究的浓重兴趣。 1．2稀磁半导体定义及研究意义 稀磁半导体资料依据磁性元素的种类能够分为磁性过渡金属元素基稀磁半导体和磁性稀土金属元 素基稀磁半导体；依据半导体资料来分能够分为化合物半导体基稀磁半导体和单质半导体基稀磁 半导体。目前，人们主要从事的是 II 一Ⅵ和 III ． V族化合物基的稀磁半导体的研究，半导体基一 般有 InP 、 bias 、 GaAs、 GaSb、 GaN、 GaP、ZnO、ZnS、 ZnSe、 ZnTe等，磁性元素一般为过渡金属元 素 Mn、 Fe、Co、Ni 、 Cr等。但是，因为大多过渡金属元素在 I Ⅱ． V族半导体资猜中的溶解度很低， 以致 III ．V族基的 DMS资料的自旋注入效率很低，难以获取大的磁性，实质应用价值不大，对比之 下，ZnO在这方面拥有较大的优势。 Jin 等人的实考证明， 过渡金属元素在 ZnO中拥有较高的溶解度， 此中 Co、Mn的溶解度分别达到 50mol％和 30mol ％，别的，在 ZnO中很简单实现重电子混杂 (1021 锄。 ，其 p型混杂也有报导。总之，稀磁半导体作为一种新资料，在自旋电子学、光电子领域已经显现出特别广阔的应用远景，比方自旋阀、自旋二极管、稳固的储存器、逻辑器件等，所以，不论在理论上，仍是在应用上，稀磁半导体资料都是一个值得深入研究的课题。 2 .ZnO 简介 ZnO是一种 II ．Ⅵ族半导体氧化物资料，拥有纤锌矿构造，属于六角晶系 0aexagonal)6mm 点群。可 以看作是由沿着 c轴方向的 Zn． o“原子偶层’ ’构成，即一层 Zn原子与一层 O原子紧靠在一同的重 复摆列构造，每个原胞含