半导体测试技术复习图文(精).docVIP

半导体测试技术复习_图文(精) 半导体测试技术复习_图文(精) PAGE / NUMPAGES 半导体测试技术复习_图文(精) 什么是半导体测试 /表征技术： 半导体测试技术是现代微电子和光电子器件不行缺乏的 “推动器 ”。半导体表征或更宽泛的说资料表征是工艺开发和制造过程中不行缺乏的有机构成部分，它被描 述成用来确立资料和器件的构造、组分、性质和性能以及它们之间相互关系的一系列相互交错的活动。 第一章 电阻率 (RESISTIVITY 电阻率 ρ关于从原材想到器件的每一步来说都特别重要关于硅晶体生长： 硅晶体生长过程中（单晶、多晶），分凝，生长条件的变化。。。 外延硅片的外延层电阻率特别均匀。关于器件： zThe device series resistance, capacitance, threshold voltage, hot carrier degradation of MOS devices, and other parameters. zDiffusion and ion implantation 等工艺都将影响硅片的局部电阻率。 §1. 简介 ?电阻率依靠于自由电子浓度 n 和空穴浓度 p 电子和空穴的迁徙率（μμ）p。以下式， §2. 两探针和四探针法 ?Two-point probe： (图 1a 易于实现和操作，结果正确性较差。 ?four-point probe：(图 1b 绝对丈量手段，精准，无需校准。可作为其余方法的 测试标准。 device under test (DUT. 电压测试独自利用此外两个接触探针。因为电压计 高电阻 (around 1012ohms or higher，分路电流极 小， R W 和 R C 对电压测试的影响可忽视。 as Kelvin measurements , after Lord Kelvin. 图 2：两探针法在半导体测试上的应用表示。 四探针法对半导体的测试 电场强度可表示为： P 点电压：距离探针 r 关于 b 图， P 点电压相当于二者叠加关于 c 图，探针 2 电压相当于探针 3 电压相当于 探针 2，3 之间电压相当于 所以可得电阻率： 常用单位 ρ：ohm·cmV: volts I ：amperes s: cm 常用电压： 10mV 往常应用的 4 探针法探针距离相等。 s= s1=s2=s3， 上式可简化为： 典型探针半径 30－ 500μm; 间距 0.5-1.5mm; 随样品厚度和尺寸变化 If: s=0.1588cm, 2π s=1, then ρ =V/I A. 小的探针间距可容忍探针靠近 WAFERB 边缘－ WAFER mapping 不同的测试资料合用不同的探针 微区四探针间距可小到 1.5 μ m,应用于高分子膜，半导体缺点测试等。。。 注意：上述推导均鉴于样品半无穷大假定，对实质测试 WAFER ，需要考虑修正关于随意形状的样品 ρ能够表示为： =2π sF· V/I (1.11 F 称为修正因子（ correction factors 它修正探针离样品边缘距离，样品厚度，直径，探针地点，测试温 度。。。，能够表示为多个要素修正因子的乘积 可是，有时各修正要素之间会相互影响。 比如：样品厚度超出探针间距，因为厚度与边缘效应的相互作用，独立的修正 因子不再合用。但一般状况下样品厚度老是小于探针间距的。 §2.1 修正因子 F 修正因子能够经过多种方法求得：格林函数，泊松方程，复变函数理论等 等。。。 关于线性摆列的探针，而且拥有相等的探针距离， F 能够写成三个独立因子的乘积： 样品厚度探针距离样品边缘地点 侧向尺寸 大多半的半导体 wafer 测试都一定进行厚度修正。 样品厚度小于探针间距的条件下可给出 F1 表达式 ： ：厚度 For non-conducting bottom wafer:For conducting bottom wafer :F1:样品厚度因子 关于特别薄样品，修正因子 F2,F3 均为 1，联合上边电阻率表达式可写为：薄膜常常采纳方块电阻（ sheet resistance, Rsh表征它的电阻率单位 : ohms per square 均匀样品的方块电阻可写为： 方块电阻常用来表征薄的半导体层，如外延膜，多晶硅薄膜，离子注入膜，金属膜。。。 关于均匀样品，方块电阻与方块电导互为倒数，关于非均匀样品： 电导率 所以，样品的电阻能够写成： 半导体样品方块电阻常用来表征离子注入层和扩散层，金属层等。从 1.19 能够看出，混杂浓度的深度变化不需要已知。它能够当作是混杂浓度的沿深度积分，而不用理睬混杂浓度究竟是怎么变化的。下列图给出了一些不同物质的方 块电阻随厚度变化图。 §2.2 随意形状样品电