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半导体发光二极管测试方法(精) 半导体发光二极管测试方法(精) PAGE / NUMPAGES 半导体发光二极管测试方法(精) 半导体发光二极管测试方法 纲要 系统地介绍了与发光二极管测试有关的术语和定义 ,在此基础上 ,详尽介绍了测试方法和测试装置的要求。 1 前 言 半导体发光二极管是一种重要的光电子器件 ,它在科学研究和工农业生产中均有特别宽泛的应用 .发光二极管虽小 ,但要正确丈量它的各项光和辐射参数并不是一件易事 .当前在世界范围内的测试比对还有较大的差别 .基于此 ,CIE( 国际照明委员 会)TC2-34 小组对此进行了研究 ,所提出的技术报告形成了 CIE127-1997 文件 . 中国光学光电子行业协会光电器件专业分会依据国内及行业内部的实质状况, 初步拟订了行业标准 发光二极管测试方法 ,2002 年起内行业内部试行 .本文表达了与发光二极管测试有关的术语和定义 ,在此基础上 ,详尽介绍了测试方法和测试装置的要求 ,以期收到抛砖引玉之成效 . 本文波及的测试方法合用于紫外 /可见光 /红外发光二极管及其组件 ,其芯片测试能够参照进行。 术语和定义 2.1 发光二极管 LED 除半导体激光器外，当电流激励时能发射光学辐射的半导体二极管。严格地讲，术语 LED 应当仅应用于发射可见光的二极管；发射近红外辐射的二极管叫 红外发光二极管（ IRED,Infrared Emitting Diode ）；发射峰值波长在可见光短波限邻近，由部份紫外辐射的二极管称为紫外发光二极管；可是习惯上把上述三种半导体二极管统称为发光二极管。 2.2 光轴 Optical axis 最大发光（或辐射）强度方向中心线。 2.3 正向电压 VF Forward voltage 经过发光二极管的正向电流为确立值时，在两极间产生的电压降。 2.4 反向电流 IR Reverse current 加在发光二极管两头的反向电压为确立值时，流过发光二极管的电流。 2.5 反向电压 VR Reverse voltage 被测 LED 器件经过的反向电流为确立值时，在两极间所产生的电压降。 2.6 总电容 C Capacitance 在规定正向偏压和规定频次下，发光二极管两头的电容。 2.7 开关时间 Switching time 波及以下观点的最低和最高规定值是 10％和 90％，除非特别注明。 2.7.1 开启延缓时间 td(on) Turn-on delay time 输入脉冲前沿最低规定值到输出脉冲前沿最低规定值之间的时间间隔。 2.7.2 上涨时间 tr Rise time 输出脉冲前沿最低规定值到最高规定值之间的时间间隔。 2.7.3 开启时间 ton Turn-on time 器件所加输入脉冲前沿的最低规定值到输出脉冲前沿最高规定值之间的时间间隔。 ont= td(on)+tr 2.7.4 封闭延缓时间 td(off) Turn-off delay time 器件所加输入脉冲后沿的最高规定值到输出脉冲后沿最高规定值之间的时间间隔。 2.7.5 降落时间 tf Fall time 输出脉冲后沿最高规定值到最低规定值之间的时间间隔（见图 1）。 图 1 开关时间 延缓时间 2.7.6 封闭时间 toff Turn-off time 2.8 光通量 Φv Luminous flux 经过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的光通量。 2.9 辐射功率 Φe Radiant power 经过发光二极管的正向电流为规定值时，器件光学窗口发射的辐射功率。 2.10 辐射功率效率 ηe Radiant power efficiency 器件发射的辐射功率 与器件的电功率（正向电流 乘以正向电压 ）的比值： 注：在与其余术语不会混杂时，可简称为辐射效率 (Radiant efficiency)。 2.11 光通量效率 ηv Luminous flux efficiency 器件发射的光通量 Φv与器件的电功率（正向电流 IF 乘以正向电压 VF ）的 比值： 注：在与其余术语不会混杂时，可简称为发光效率（ Luminous efficiency ）。 2.12 发光（或辐射）空间散布图及有关特征 2.12.1 发光（或辐射）强度 Iv Luminous （or Radiant） intensity 光源在单位立体角内发射的光（或辐射）通量，可表示为 Iv =d Φ/d 。Ω发光 （或辐射）强度的观点要求假设辐射源是一个点辐射源，或许它的尺寸和光探测 器的面积与离光探测器的距离对比是足够小，在这类情况，光探测器表面的光 （或辐射）照度依据距离平方反比定理，即 E=I/d 。这里 I 是辐射源的强度， d 是 辐射源中心到探测器