半导体二极管三极管和MOS管开关特性(精).docVIP

半导体二极管三极管和MOS管的开关特征(精) 半导体二极管三极管和MOS管的开关特征(精) PAGE / NUMPAGES 半导体二极管三极管和MOS管的开关特征(精) 理想开关的开关特征 假设图 2.1.1 所示 S 是一个理想开关，则其特征应以下： 一、 静态特征 （一） 断开时，不论 Uak 在多大范围内变化， 其等效电阻 Roff= 无量，经过此中的电流 Ioff=0 。 （二） 闭合时， 不论流过此中的电流在多大范围内变化，  其等效电阻  Ron=0  ，电压  Uak=0  。 二、 动向特征 （一） 开通时间 Ton=0 ，即开关 S 由断开状态变换到闭合状态不需要时间， 能够瞬时达成。 （二） 关断时间 Toff=0 ，即开关由闭合状态变换到断开状态哦也不需要时间，亦能够瞬时达成。 客观世界中，自然没有这类理想开关存在。平时生活中使用的乒乓开关、继电器、接触 器等， 在必定电压和电流范围内，其静态特征十分凑近理想开关， 但动向特征很差，根本不 可能知够数字电路一秒钟开关几百万次以致数千万次的需要。 固然，半导体二极管、 三极管 和 MOS 管作为开关使用时，其静态特征不如机械开关， 但其动向特征倒是机械开关没法比较的。 半导体二极管的开关特征 半导体二极管最明显的特色是拥有单导游电特征。 一、 静态特征 （一） 半导体二极管的构造表示图、符号和伏安特征 1． 构造表示图和符号 如图 2.1.2 所示，是半导体二极管的构造表示图和符号。 半导体二极管是一种两层、一结、两头器件，两层就是  P 型层和  N 型层、一结就 内部只有一个  PN  结，两头就是两个引出端，一个引出端叫做阳极  A，一个引出端称为阴极 K。 2． 伏安特征 反应加在二极管两头的电压 Ud 和流过此中的电流 Id 二者之间关系的曲线，叫做 伏安特征曲线，简称为伏安特征。图 2.1.3 给出的是硅半导体二极管的伏安特征。 从图 2.1.3 所示伏安特征可清楚地看出， 仍处在截止状态。只有在 Ud 大于 0.5V  当外加正向电压小于 0.5V 此后，二极管才导通，并且当  时，二极管工作在死区， Ud 达到 0.7V 后，即 使 Id 在很大范围内变化， Ud 基本不变。当外加反向电压时，二极管工作在反向截止区，但 当 Ud 达到 U(BR) —— 反向击穿电压时， 二极管便进入反向击穿区， 反向电流 Ir 会急剧增添，若不限制 Ir 的数值，二极管就会因过热而破坏。 （二） 半导体二极管的开关作用 1． 开关应用举例 图 2.1.4 给出的是最简单的硅二极管开关电路。输入电压为 u1，其低电平 U1L=-2V ，高电平为 U1H=3V 。 （1 ） u1=U1L=-2V 时 半导体二极管反偏， D 处在反向截止区，好像一个断开了的开关，直流等效电路 如图 2.1.4 （ b）所示，明显，输出电压为 0V ，即 uo=0 。 （2 ） u1=U1H=3V 时 半导体二极管正向偏置， D 工作在正导游通区，其导通压降 UD=0.7V ，好像一个具 有 0.7V 压降、闭合了的开关，直流等效电路如图 2.1.4 （ c）所示，明显输出电压等于 U1H 减去 UD ，即 uo=U1H-UD=(3-0.7)V=2.3V 2． 状态开关特征 经过对最简单的二极管开关电路的剖析可知，硅半导体二极管拥有以下静态开关特 性： （1 ） 导通条件及导通时的特色 当外加正向电压 UD0.7V 时，二极管导通，并且一旦导通以后，就能够近似地 以为 UD=0.7V 不变，好像一个拥有 0.7V 压降的闭和了的开关。在有些状况下，比如在图 2.1.4 所示电路中， 当 u1=U1H 很大时， 即可近似地以为 uo=U1H ，即忽视二极管导通压降。 （2 ） 截止条件及截止时的特色 当外加电压 UD0.5V 时，二极管截止，并且一旦截止以后，就近似地以为 ID=0 ， 好像一个断开了的开关。 二、 动向特征 （一） 二极管的电容效应 1． 结电容 Cj 二极管中的 PN 结里有电荷存在，其电荷量的多少是受外加电压影响的，当外加电 压改变时， PN 结里面电荷量也随之改变，这类此刻与电容的作用很相像，并用电容 Cj 表 示，称之为结电容。 2． 扩散电容 CD 当二极管外加正向电压时， P 区中的多半载流子空穴， N 区中的多半载流子电子， 超出 PN 结后，其实不是立刻所有复合掉，而是在 PN 结两边累积起来，形成必定浓度梯度分 布，凑近结界限处浓度高，离界限越远浓度越低。也即在 PN 结界限两边，因扩散运动而积 累了电荷， 并且其电荷量 （储存电荷量） 也随之成比率地增添。这类现象与电容的作用也很 相像，并用