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半导体物理学[第六章pn结]课程复习(精) 半导体物理学[第六章pn结]课程复习(精) PAGE / NUMPAGES 半导体物理学[第六章pn结]课程复习(精) 山东大学《半导体物理》期末复习知识点 第六章 pn 结 6． 1 理论纲要与要点剖析 (1)pn 结是将同种半导体资料的 n 型和 p 型两部分密切联合在一同，在交界处形成 一个结，即称为 pn 结。为使性能优胜，一般采纳合金法、扩散法、外延生长法 和离子注入法等，改变其混杂性质来实现这类 “密切接触 ”的。 pn 结是重要半导体器件，如结型晶体管及其相应的集成电路的工作核心。设两种杂质的交界面为 xj ，假如 杂质有一个较宽的赔偿过分阶段，为缓变结，较深的扩散法一般属此种状况。 (2)因为在结的两边两种载流子相差悬殊而发生扩散。 n 区中的电子流入 p 区，在结邻近留下不能够挪动的电离施主；相同 p 区中的空穴流入 n 区在结的邻近留下不行挪动的电离受主，形成一个 n 区为正， p 区为负的电偶极层，产生由 n 区指 向 p 区的自建电场，此电场的作用是阻挡载流子进一步互相扩散。或许说产生了一个与扩散相反的载流子漂移，当二者达到均衡时，载流子经过结的净流动为 零，达到均衡。成立起一个稳固的空间电荷区和一个稳固的自建电场。 n 型的一边带正电，电动势高； p 型一边带负电，电势低，所产生电动势差称为 pn 结接触电动势差。这个电动势差对 n 型区的电子和 p 型区的空穴各自向对方，运动都形成势垒，使整个构造在结区形成能带曲折，其曲折的高度称为势垒高度，它恰好 赔偿了本来两边半导体中费米能级的高度差，使两边达到等高的一致费米能级。山东大学《半导体物理》期末复习知识点 (3)pn 结上加正向电压 V(p 型一端接正， n 型一端接负 )时，外加电压电场与内建 电场的方向相反，使内建电场减弱，势垒区变窄，势垒高度由均衡时的 q VD 变 为 q(VD-V) 。两区的费米能级分开为 EnF-EpF=qV 这时由内建电场惹起载流子的 漂 移减弱，扩散相对加强。于是有一个净的扩散电流从 p 区经过结流入 n 区，这即是 pn 结的正向电流。随外加电压 V 的增添，势垒高度愈来愈小，载流子漂移越 来越小，扩散进一步增添。所以随外加正向电压的增添，正向电流快速增大。在 pn 结上加反向电压 (p 型一端接负， n 型一端接正 )时，其外加电场方向与自建电场的方向相同，使势垒由均衡时的 q VD 增高为 q(VD+V) ，势垒区宽度变宽， 减少了多子的互相扩散，增添了少子的漂移。所以形成了一个由 n 区流向 p 区的 净电流，称之为反向电流。但因少子的浓度低，并且只有扩散到势垒界限的少子才能被势垒区的强电场拉向另一边。所以反向电流很小，并且不随外加反向电压的增添而增添，达到饱和，所以称之为反向饱和电流。这就定性地说了然 pn 结的整流效应。 (4)要推导出 pn 结的电流电压关系，可按下边的思路获取。 在外加偏压 V 下(临时设其为正偏 )，pn 结势垒区的自建电场减弱，使 p 区和 n 区有少子的净注入， n 区的电子注入 p 区变为 p 区的少子， p 区的空穴注入 n 区，成 为 n 区的少子，而累积在势垒区的界限。因为内部少子浓度比界限低，所以它们会从注入的界限向各自内部扩散。在忽视掉势垒区载流子的复合、产生和小注入 的条件下，解两边少量载流子的稳态扩散方程，分别求出电压为 V 时，在势垒边 界 xn 和(-xp) 处空穴和电子的扩散电流密度，二者相加，即获取经过 pn 山东大学《半导体物理》期末复习知识点 结的总电流。其结果为 肖克莱方程式是在理想 pn 结条件导出的，它揭露了 pn 结导电性质的基来源理。但实质 pn 结与它有差别，这主要表此刻：①存在表面效应；②势垒区中有载流子的产生和复合，③大注入效应，④串连电阻效应。为了更正确地描绘一个实质的 pn 结，还应付其进行必需的修正。 (5)pn 结拥有电容效应，它的大小直接影响着高频应用下的整流性能。 pn 结电容 可分为势垒电容和扩散电容两种。 势垒电容：在正向偏压时， pn 结势垒区 (空间电荷区 )变窄，反向时局垒区变宽，这类因为外加电压的变化惹起势垒区宽窄即空间电荷量的变化而产生的电容效应，称为势垒电容。 因为势垒区的电荷是由未被中和的电离杂质形成，因此它与 pn 结两边的杂质浓度和散布相关。按定义 CT=dQ/dV ，要求出势垒电容，应找出空间电荷区的电 量 Q 与外加电压 V 的关系，这类关系是利用解耗尽层近似下空间电荷区的泊松方程获取。依据解的结果，可求出： 山东大学《半导体物理》期末复习知识点 不过此中的板间距用相应状况下的势垒宽度 xD 所取代。反向偏压增添，势垒 宽度增大。 其电容量越小，所以它是