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半导体资料丈量(精) 半导体资料丈量(精) PAGE / NUMPAGES 半导体资料丈量(精) 半导体资料丈量 (measurement for semiconductor material) 用物理和化学剖析法检测半导体资料的性能和评论其质量的方法。它对探究新资料、新器件和改良 工艺控制质量起重要作用。 在半导体半 barl 资料制备过程中， 不单需要丈量半导体单晶中含有的微量杂质和缺点以及表征其物理性能的特色参数，并且因为制备半导体薄层和多层构造的外延资料，使丈量的内容 和方法扩大到薄膜、表面和界面剖析。半导体资料检测技术的进展大大促使了半导体科学技术的发展。半导体资料丈量包含杂质检测、晶体缺点观察、电学参数测试以及光学测试等方法。 杂质检测 半导体晶体中含有的有害杂质，不单使晶体的完好性遇到损坏，并且也会严重影响半 导体晶体的电学和光学性质。另一方面，存心掺入的某种杂质将会改变并改良半导体资料的性能，以知足器件制造的需要。所以检测半导体晶体中含有的微量杂质十分重要。一般采纳发射光谱和质谱法，但关于薄层和多层构造的外延资料，一定采纳合适于薄层微区剖析的特别方法进行检测，这些方法有电子探针、 离子探针和俄歇电子能谱。半导体晶体中杂质控制状况见表 1。 表 1 半导体晶体中杂质检测法 剖析方法 对象 特 点 敏捷度 发射光谱 晶体 可同时剖析几十种元素 对所有元素敏捷度几乎同样 (O． 01～ 100) ×10-6 质谱 晶体 合适于表面和界面的薄层微区剖析， (1 ～ 10) × 10-9 离子探针 薄膜 可达 1 个原子层量级 一般元素 1× 10-6 轻元素， 1× 10-9 俄歇电子能谱 表面 对轻元素最敏捷 -6 电子探针 薄膜 1×10 微米级微区剖析，对重元素最敏捷 (10 ～ 100) ×10-6 卢瑟福散射 表面 可测质量大于基体的单层杂质 10× 10-9 活化剖析 薄膜 可随薄膜剥离面剖析 9 2 10 12 2 全反射 X 光荧光 表面 过渡金属 10 ／ cm，轻元素 ／ cm 是测表面杂质最敏捷的方法 晶体缺点 观察半导体的晶体构造常常拥有各向异性的物理化学性质，所以，一定依据器件制造 的要求，生长拥有必定晶向的单晶体，并且要经过切片、研磨、抛光等加工工艺获取规定晶向的平坦而干净的抛光片作为外延资料或离子注入的衬底资料。另一方面，晶体生长或晶片加工中也会产生缺点或损害层，它会延长到外延层中直接影响器件的性能，为此一定对晶体的构造及其完好性作出正确的评论。半导 体晶体构造和缺点的主要丈量方法见表 2。 表 2 半导体晶体构造和缺点的主要丈量方法 测试项目 丈量方法 对象和特色 正确性 (1) 光图定向 可测晶向及其偏离角，设施简单 (2)X 射线照相法 合用于晶向完好不知的定向， 精度较 精度可达 30’ 高，但 晶 向 操作复杂，用于研究 合用于晶向大概已知的定向和定向 (3)X 射线衍射仪 切割，精 精度可达 1’ 度高、操作简易 100Ω cm ；锗 20 Ω 10～103μ s。，适 化学腐化和金相观 设施简单、效率高，用于惯例测试 察 位 穿透深度约 50μ m，可丈量晶体中位 错 (2)X 射线容貌 错、层 相 错、应力和杂质团 微缺点 化学腐化和金相观 观察无位错硅单晶中的点缺点和杂质形成 察 的微缺点团 (1) 解理染色法 载流子浓度和厚度不受限制 不合用于高阻层，非损坏性，同质外延 1～ 外延层厚度 (2) 红外干预法 分辨率± 0.5 μ m 10 2 3 μm μ m；异质外延 0． 3～10 (3)X 射线干预法 厚度丈量可达 0.1 μm 偏差± 10％ 可观察晶片经化学机械抛光后的表面缺点 损害层 X 光双晶衍射法 和应力划痕等 电学参数测试 半导体资料的电学参数与半导体器件的关系最亲密，所以丈量与半导体导电性有 关的特色参数成为半导体丈量技术中最基本的内容。电学参数丈量包含导电种类、电阻率、载流子浓度、 迁徙率、赔偿度、少子寿命及其平均性的丈量等。丈量导电种类当前常用的是鉴于温差电动势的冷热探笔 法和鉴于整流效应的点接触整流法。电阻率丈量往常采纳四探针法、两探针法、三探针法和扩展电阻法， 一般合用于锗、硅等元素半导体资料。霍尔丈量是半导体资猜中宽泛应用的一种多功能丈量法，经一次测 量可获取导电种类、电阻率、载流子浓度和迁徙率等电学参数，并由霍尔效应的温度关系，能够进一步获 得资料的禁带宽度、杂质的电离能以及赔偿度。霍尔丈量已成为砷化镓等化合物半导体资料电学性能的常 规测试法。以后又发展了能够丈量平均的、随意形状样品的范德堡法，简化了样品制备和测试工艺，获取 了广泛的应用。另一类深能级杂质，其能级处于凑近禁带中心的地点，在半导体资猜中起缺点、复合中心 或赔