半导体物理实验讲义.pdf

实验一 硅的霍耳系数和电导率测量 一、目的 掌握测量霍耳系数和电导率的实验方法，测出硅的霍耳系数和电导率随温度变化的 数据，确定硅的导电类型。 二、基本原理 一块宽为a、厚为b 的长方形半导体(见图1)。若在x 方向上有均匀的电流I 流过， X 再Z 方向上加均匀磁场B ，那么在这块半导体A、B 两点间（ Y 方向上）产生一电位差， z 这种现象称为霍耳效应。从实验中发现，在弱磁场情况下，霍耳电场E 的大小与电流密 y 度J 和磁场强度B 成正比， X z E =RJB y X z 由上式可得 R=E / JB (1) y X z R 称为霍耳系数。在实验上直接测量的是霍耳电位差V 。因为， H E=V / a y H J =I / ab X X （1）式可以写为 R=Vb / IB (2) H X z 如果（２）式中各量所用的单位是V －伏；I －安培；B －高斯；b－厘米； H X z 3 8 R－厘米/库仑，则应该在(2)式中引入单位变换因子10，把它写成如下形式： 8 R=( V b /IBz ) * 10 (3) H X 1 上式为实验中实际应用的公式。 因为电子和空穴的漂移运动是相反的，但是电荷符号也是相反的，磁场对它们的偏 转作用力方向相同。结果在边界上积累的电荷两种情况下相反，因此霍耳电场和电势差 是相反的。照这个道理可以区别电子性导电(n型)和空穴导电(P型)。当E 0，为p 型， Y E 0，为n 型。 Y 在霍耳效应的简单理论中，对电子和空穴混合导电的半导体，霍耳系数为： 2 2