膜厚分布与监控技术.pptVIP

膜厚分布与监控技术 膜厚分布与监控技术膜厚分布与监控技术源的种类 源的形状 源/基板之间的相对位置 基板的旋转膜厚分布MBE分子束流分布和基底温度CVD源气体流分布和基底温度分布温度决定化学反应的速度溅射等离子体分布“流水生产线”重点讨论热蒸发情况：点源和面源 第一页，共33页。 源的种类 源的形状 源/基板之间的相对位置 基板的旋转 膜厚分布 MBE 分子束流分布和基底温度 CVD 源气体流分布和基底温度分布 温度决定化学反应的速度 溅射 等离子体分布 “流水生产线” 重点讨论热蒸发情况：点源和面源 第二页，共33页。 1) 忽略蒸发原子与剩余气体和蒸发原子之间的碰撞。 在真空中气体分子的平均自由程为：L = 0.65 / p (cm)，其中p的单位是Pa。当p = 1.3×10-3Pa时，L≈500 cm。L基片到蒸发源的距离，分子作直线运动。 蒸发过程的假设： 2) 蒸发源的发射特性不随时间而变化。 3) 入射到基片上的原子全部凝结成薄膜。 凝结系数 第三页，共33页。 阴影效应：由于蒸发产生的气体分子直线运动，使薄膜局部区域无法镀膜或膜厚各处不一的现象 热蒸发镀膜的阴影效应 第四页，共33页。 蒸发总质量(时间t内)： 其中部分蒸发质量 落在dAs 基片上，由于dAs在球表面的投影面积为dAc, dAc=dAscosθ, 所以有比例关系 一.