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电子技术基础含答案 电子技术基础含答案 电子技术基础含答案 精选文档 《电子技术基础》课程习题集 西南科技大学成人、网络教育学院 版权所有 习题 【说明】：本课程《电子技术基础》 （编号为 08001）共有单项选择题 , 简答题 , 计算 题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 剖析题 , 化简题等多种试题种类，此中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题种类未进入。 一、单项选择题 1. 测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是 U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在 （ ） B E C 状态。 A. 击穿 B. 截止 C. 放大 D. 饱和 2. 二极管的主要特征是（ ）。 A. 放大特征 B. 恒温特征 C. 单导游电特征 D. 恒流特征 3. 在 N 型半导体中（ ）。 A. 只有自由电子 B. 只有空穴 C. 有空穴也有电子 D. 没有空穴也没有自由电子 4. 三极管的两个 PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（ ）。 A. 放大 B. 饱和 C.截止 D. 倒置 5. 工作在放大状态的某三极管， 当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，I C=1.8mA， 则该三极管的沟通电流放大系数为（ ）。 A.50 B.80 C.100 D.180 6. 稳压管的稳压是其工作在（ ）。 A. 正导游通 B. 反向截止 C. 反向击穿区 D. 正向死区 7. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为 0V、 -10V 和 -9.3V ，则该管为 （ ）。 A.NPN硅管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.PNP 锗管 8. 在杂质半导体中，多半载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 混杂工艺 C. 杂质浓度 D. 晶体缺点 9. 测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为： UB=2.8V ， UE=2.1V ， UC＝ 3.6V ，则该管处于 （ ）状态。 A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 击穿 . 精选文档 10. P 型半导体中的自由电子浓度（ ）空穴浓度。 A. 大于 B. 小于C. 等于 D. 大于或等于 11. N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（ ）。 A. 自由电子 B. 空穴 C. 硼元素 D. 磷元素 12. 三极管工作在放大区的条件是（ ）。 A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结反偏，集电结正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 13. 以下对于半导体的说法正确的选项是（ ）。 A.P 型半导体带正电， N 型半导体带负电 B. 稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态 C. 整流二极管和稳压二极管能够交换使用 D. 以上说法都是错误的 14. PN 结加正向电压时，空间电荷区将 ( ) 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 不确立 15. 当温度高升时，二极管反向饱和电流将 ( ) A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 16. 以下电路中，可用作电压跟从器的是（ ）。 A．差分放大电路 B ．共基放大电路 C ．共射放大电路D．共集放大电路 共模克制比 KCMRR是（）。 差模输入信号与共模输入信号之比 输入量中差模成份与共模成份之比 差模放大倍数与共模放大倍数 ( 绝对值 ) 之比 沟通放大倍数与直流放大倍数 ( 绝对值 ) 之比 18. 以下哪一种失真不属于非线性失真（ ）。 A. 饱和失真 B. 截止失真 C. 交越失真 D. 频次失真 19. 共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差（ ）。 A.90° B.180° C.60° D.30° 20. 收音机找寻要听的电台，利用的是（ ）原理。 A. 自激 B. 调谐 C. 整流 D. 稳压 21. 假如三极管的发射结反偏，则三极管处于的状态是（ ） A. 放大 B. 饱和 C. 截止 D. 倒置 22. 共射极放大电路的沟通输出波形上半周失真时为（ ）失真。 A. 饱和 B. 截止 C. 交越 D. 频次 23. 射极输出器的主要特色是（ ） 电压放大倍数无量大，输出电阻高，输入电阻低 电压放大倍数靠近 1，输出电阻低，输入电阻高 电压放大倍数为 0，输出电阻低，输入电阻高 以上说法都不对 24. 固定偏置单管沟通放大电路的静态工作点 Q以以下图所示， 当温度高升时 Q将 ( ) 。 A. 不改变 B. 向 Q挪动 C. 向 Q 挪动 D. 向右平移 . 精选文档 I C(mA) Q I B 40 A Q Q UCE /V O 25. 电路以下图，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流 I C减小，则应（ 〕。 A. 保持 CCB 必定，减小 C B.