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电子技术基础教课设计 电子技术基础教课设计 电子技术基础教课设计 教 案 2015 至 2016 学年 第_二 学期） 课程名称 _ 电子技术基础 讲课班级 14 机电大专 (1)_ 讲课老师 施 春 雨 任教系部 机电工程 江苏省通州中等专业学校 课题名称 讲课课时 教课目的 教课要点 教课难点 教课方法 教课资源准备  江苏联院 通州分院 任务一 半导体二极管的辨别与检测 知识点一 半导体基本知识 2 课时 讲课形式 新讲课 一、知识与技术目标： 掌握 PN结的单导游电特征。 二、过程与方法目标： 指引式教课， 教师要注意激发学生学习兴趣， 指引学生踊跃思虑、 议论， 解决问题。应答性学习、自主学习。 三、感情态度价值观目标： 激发学生浓重的学习兴趣，培育学生谨慎的科学态度 培育学生的察看能力和理论联系实质的能力 本征半导体，杂质半导体 PN 结的单导游电特征。 本征半导体，杂质半导体 PN结的单导游电特征。 解说法、察看法、解说法、分组议论法 基本教课器具 教课情境创建 更新、增补、删 节的内容 教课环节 复习发问 引入新课 解说新课  教课内容（知识或技术点） 一、半导体及其特色 自然界的物质按其导电能力可分为 导体、绝缘体和半导体 三大类， 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间 。半导体器件拥有重量轻、体积小、耗电少、寿命长、工作靠谱等突出长处，在电子技术中获取了宽泛的应用。 半导体的常用资料为 锗、硅 等，因其资料的敏感性，半导体的导电能力受外界条件的影响较大，详细特色以下： ．半导体的导电性能与温度相关。 ．半导体的导电性能与光照相关。 ．在形成晶体构造的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能拥有可控性。 二、本征半导体 纯净的半导体称为本征半导 体。 常用的半导体资料硅（ Si ）和锗 （ Ge）均为 4 价元素，最外层有 4 个电 子。 其晶体构造中，相邻两个原子的一 对最外层电子（价电子）成为共用电子， 形成共价键构造，如图 所示。 在共价键构造中， 价电子假如因为热运 动（热激发）获取足够的能量，就会挣 脱共价键的约束变为为自由电子。与此 同时，在共价键中留下一个空地点，称 为空穴，半导体在热激发下产生自由电 子和空穴对的现象称为本征激发 ，如图 所示。 三、杂质半导体  教师活动 学生活动 信息技术 组织教课， 思虑剖析、回答 创建情境引入 发问，复习旧知 新课。 识。 剖析解说， 运用 指引启迪式教 仔细听讲，分学模式，激发学 析思虑，议论生思虑。 剖析解说， 引 导学生总结。 1．N 型半导体 若在四价硅 ( 或锗 ) 晶体中掺入少许的五 价元素磷 (P) ，五价的磷原子在晶体中占有了本来 硅原子的一个地点， 如图 所示。在这种半导 体中，自由电子是多半载流子， 而空穴是少量载流 子。 2． P 型半导体 若在硅 ( 或锗 ) 晶体中掺入三价元素硼 ，因为每个硼原子只有三个价电子，因此在构成共价键构造时， 将因缺乏一个价电子而形成一个 空穴，如图 所示，这种半导体中空穴是多半 载流子，自由电子是少量载流子。 四、 PN结 1．PN结的形成 一块半导体晶片两边经不一样混杂后分别形成 P 型和 N型半导体， 如图 1.1.5(a) 所示，因为 P 区 空穴浓度大， 而 N区空穴浓度小， 这样因为浓度差  剖析解说 仔细听讲 指引学生思虑， 思虑、小组讨 并总结。 论 产生了扩散运动，所以空穴要从 P 区向 N区扩散， N 区的自由电子要向 P 区扩散。 这样，在 P 型半导体和 N 型半导体交界面的双侧就形成了一个空间电荷区，这个空 间电荷区就是 PN结。如图 1.1.5(b) 所示。 正负空间电荷在交界面形成一个内电场， 它推进两个地区内的少量载流子超出空间电荷区，进人另一地区，如图 1.1.6 所示。这种少量载流子在内电场作用下的有规则运动称为漂移运动。 2． PN结的单导游电性 PN 结加正向电压 所谓 PN 结加正向电压，是指外电源的正极接 PN结的 P 区，外电源的负极 接 PN结的 N 区，如图 1.1.7(a) 所示。由图可知，外电场将削弱内电场的作用，进而使得多半载流子的扩散运动获取增强，形成较大的正向电流。 PN 结加反向电压 PN 结加反向电 压，即外电源的正端接 N 区，负端接 P 区，如图 1.1.7(b) 所示。此时内 电场增强，多半载流子的 扩散运动减弱， 少量载流 子的漂移运动增强， 在电 路中形成了反向电流。 但 因为少量载流子的数目 极少，所以反向电流不 大。 讲堂小结 讲堂小结  教师和学生一 起总结本节课 的知识点，稳固 总结梳理本 本节课所学知 节课知识点。 识。 课外作业 板书设计  P26 一判断题 一、半导体及其特色 二、本征