巨磁阻效应实验要点.pdf

近代物理实验报告 专业 应用物理学 班级 11 级 指导教师 马厂 姓名 实验时间 2013 年 月 日 实验地点 K7-402 实验名称 巨磁阻效应实验 实验三 巨磁阻效应实验 【实验目的】 1．了解巨磁阻效应原理，了解巨磁阻传感器的原理及其使用方法； 2 ．学习巨磁阻传感器定标方法，用巨磁阻传感器测量弱磁场； 3 ．测定巨磁阻传感器敏感轴与被测磁场间夹角与传感器灵敏度的关系； 4 ．测定巨磁阻传感器的灵敏度与其工作电压的关系； 5 ．用巨磁阻传感器测量通电导线的电流大小。 【实验原理】 1． 巨磁阻效应 1988 年 , 法国巴黎大学的研究小组首先在 Fe/Cr 多层膜中发现了巨磁阻效应，在国际上引起很大的反响。巨磁 阻（ Giant Magneto Resistance ）是一种层状结构，外层是超薄的铁磁材料（ Fe,Co,Ni 等），中间层是一个超薄的 非磁性导体层（ Cr,Cu,Ag 等），这种多层膜的电阻随外磁场变化而显著变化。 通常情况下， Cr,Cu,Ag 等是良好的导体，但当它的厚度只有几个原子时，导体的电阻率会显著增加。在块状导 体材料中，导体内电子由于会和其它微粒碰撞，所以在“散射”改变运动方向之前都要运动很长一段距离。在电子 散射之前运动的距离的平均长度称为平均自由程。 然而，在非常薄的材料中， 电子的运动无法达到最大平均自由程。 电子很可能直接运动到材料的表面并直接在那里产生散射，这导致了在非常薄的材料中平均自由程较短。因此导体 中的电子要在这种材料中运动更加困难，导致导体电阻率的增大。 巨磁阻的磁性层是用来抗铁磁耦合的。当没有外界磁场作用时，这两层材料的磁化是相互对立的。可以假设为 两根 “头尾相连”的条形磁铁 （两个磁铁是平行的， 其中一个的北极与另一个的南极同向） ，中间隔着一张薄塑料纸。 巨磁阻材料中磁性层的磁化方向也是“头尾相连”的，中间是非磁性层。 下图显示的是 GMR材料结构内部的一些电子的射程。两个箭头指明了抗磁耦合。 图 1 抗磁耦合图示 注意：电子是散射到两个 GMR材料的表面。这是因为电子从上层自旋试图进入下层自旋，反之亦然。由于电子 自旋的不同，电子比较有可能散射到两个表面。这种情况的结局是导电电子的平均自由程的长度相当短，从而导致 了材料具有相对高的电阻率。 如果外加在 GMR材料上的外界磁场足够大，它就能够克服两个磁性层之间磁化的抗磁耦合。这种条件下，两个 薄层的电子都会做同样的自旋。这时，电子便容易在巨磁阻材料中运动，电子的平均自由程增长，导致巨磁阻材料 的电阻率降低。 图 2 顺磁耦合图示 这种电阻随外磁场变化而显著变化的现象即为巨磁阻效应。 巨磁阻材料在高密度读出磁头、磁存储元件上有广泛的应用前景，美国、日本和西欧都对发展巨磁阻材料及其 在高新技术上的应用投入了很大的力量。 IBM 公司研制成巨磁阻读出磁头，将磁盘记录密度一下子提高了 17 倍，从 而使磁盘在与光盘的竞争中重新处于领先地位。利用巨磁阻效应在不同的磁化状态具有不同电阻值的特点，可以制 成随机存储器（ MRAM），其优点是在无电源的情况下可继续保留信息。 由于巨磁阻效应易使器件小型化，廉价化，可应用于测量位移，角度等传感器中，可广泛应用于数控机床，汽 车测速，非接触开关，旋转编码器中，与光电等传感器相比，它具有功耗小，可靠性高，体积小，能工作于恶劣的 工作条件等优点。 2 ．巨磁阻传感器 本仪器所用巨磁阻传感器采用惠斯登电桥，磁通屏蔽和磁通集中器。在传感器基片上镀一层很厚的磁性材料， 这块材料对其下方的巨磁阻电阻器形成屏蔽，不让任何外加磁场进入被屏蔽的电阻器。惠斯登电桥中的两个电阻器 （在桥的两个相反的支路上）在磁性材料的上方，受外界场强的作用，而另外两个电阻器在磁性材料的下方，从而 受到屏蔽而不受外界磁场作用。当外界磁场作用时，前两个电