RF电路ESD防护设计.ppt

编辑课件 提高导通电压方法 二极管串联法 提高导通电压方法 开关二极管导通电压随温度的升高而降低 结温25℃和150℃相比，BAV99单二极管的限幅点将由7dBm（RF峰值0.7V）降到4dBm （RF峰值0.5V）左右 。 提高导通电压方法 TVS管或MLV法 中低频应用 击穿电压在几伏到几十伏之间可随意选择 残压较高 提高导通电压方法 二极管串联电容法 此防护电路用于RF放大器SGA6489的输入端时，电容C1和C2等于0.02uF，其抗静电能力达到2500V；电容C1和C2等于0.47uF，其抗静电能力达到4000V。（RF压缩在1GHz仿真，实际测试约为39dBm。） RF接口ESD防护电路综合设计法 MLV、各种二极管、R/L/C 二极管串并联、匹配设计、滤波、隔离、衰减 ESD防护实验 ESD防护实验方案 ESD防护实验数据分析 ESD防护实验总结 ESD防护实验方案 ESD防护电路对RF信号质量的影响测试电路 ESD防护实验方案 ESD防护效果测试电路 二极管工作原理 快速开关二极管 稳压二极管 PIN二极管（低频功率型 ） 高击穿电压、速度快、电容量很小、PN结面积小、结薄 肖特基二极管（低频整流型功率管） 较低的正向压降（0.2V至0.3V），很小的结电容，位垒薄 Polymer ESD抑制器工作原理 压敏介质 ：高分子聚合物（极低容值） R、L、C网络工作原理 电阻衰减网络 能量衰减 LC滤波器 带外能量反射/衰减 防护器件特性对比 防护器件类别 响应时间 结电容 主要应用 保护方式 普通MOV 慢：数十ns~us级 大：数百~数万pF EOS（AC、雷电） 箝位 MLV 快：ps~ns级 一般：数十~数百pF，低达几pF EOS和中低频电路的ESD防护（中等能量） 箝位 GDT 慢：数百ns~us级 小：数pF~数百pF，可低于0.5pF 雷电（大能量） 负阻 TVS 快：ps~ns级 一般：数十~数百pF，低达1pF EOS和中低频电路的ESD防护(低电压、小能量) 箝位 高速开关二极管 快：ps~ns级 小：数pF~数十pF，可低于1pF ESD（高频、小能量） 箝位 TSS 快：ps~ns级 大：数十~数百pF EOS（大能量） 负阻 低电容聚合物ESD抑制器 快：ps~ns级 极小：数fF~数pF ESD（高频、小能量） 负阻箝位 R/L/C滤波衰减网络 快 不考虑 从低频到高频电路的EOS和ESD防护（小能量） 滤波、衰减 接口防护器件结电容要求 接口防护器件结电容要求 RF接口适用的ESD防护器件 低容值快速开关二极管√ 低容值TVS管√ R、L、C网络√ 低容值MLV χ 低容值聚合物ESD抑制器χ 低容值防护器件介绍 快速开关二极管 PHILIPS TOSHIBA NEC INFINEON ON SEMI 低容值防护器件介绍 TVS CAMD （CM12xx） PROTEK （POSTxxLC ） 低容值防护器件介绍 MLV AVX EPCOS LITTELFUSE 低容值防护器件介绍 聚合物ESD抑制器 Littlefuse （PGB） COOPER （ESDA） RF电路ESD防护设计技术 RF接口ESD防护设计难点 RF电路ESD防护设计的一般要求 ESD防护设计方法和技巧 降低防护电路对RF信号质量的影响 RF接口ESD防护设计难点 阻抗匹配 结电容 寄生电感 限幅 导通电压 ESD信号的宽频谱特征 RF接口ESD防护设计难点 ESD信号的频谱特征 RF电路ESD防护设计的一般要求 整机、单板、组件外壳的空气和接触放电：±8000V 整机、单板、组件外部RF接口的接触放电：±4000V，不得低于±2000V；内部RF接口的接触放电：±2000V，不得低于±1500V 无线终端外部接口的接触放电：±4000V 静电敏感器件的选用 优选防静电能力强的RF器件 1000V（HBM） 200V（MM） 500V（CDM） 中低频应用应优选Si双极器件 禁止选用防静电能力小于100V（HBM、MM and CDM同时满足）的