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微电子器件期末复习计划题含答案 微电子器件期末复习计划题含答案 PAGE / NUMPAGESPAGE 微电子器件期末复习计划题含答案 所有解答为个人整理，若有错误请认真甄别！ 13级 期末复习题库 典例解答 电子科技大学/命题 陈 卉/转载 王 嘉 达/整理 【习题压得准 五杀跑不了】 微电子器件（陈星弼·第三版） 电子工业第一版社 ◎序言◎ 依据统计，讲堂测试、课后作业中的题目纲要中无相像题型，请复习纲要的同 时在做一次作业以及讲堂测试。作业答案、讲堂作业答案平常随讲堂进度上传群共 享，请自行查阅。本答案为个人整理，若有不当之处望责备指正。计算题部分，实 在力所不及，后期会持续上传计算题集锦，敬请期望。 另，因为自己微电子班，无光源班群，请居心人士转载至光源班群，共同经过 期末考试！ 微电子器件（第三版）陈星弼陈卉/题目王嘉达/答案  答案为个人整理，若有错误请  认真甄别  电子科技大学中山学院！厚德博学求是  /——1 创新 1、若某突变PN结的P型区的混杂浓度为NA1016cm3，则室温下该区的均衡多子浓度pp0与均衡少子浓度np0分别为（NA1016cm3）和（NA1014cm3）。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电 场的方向是从（N）区指向（P）区。[发生漂移运动，空穴向P区，电子向N区] 3、当采纳耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（dE qu ）。由此方程能够看 dx S D 出，混杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ 大）。 4、PN结的混杂浓度越高，则势垒区的长度就越（ 小），内建电场的最大值就越（大）， 内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小）[P20]，势垒电容CT就越（大），雪崩击穿电压就越（小）。 5、硅突变结内建电势 Vbi可表为（vbi KT ln NAND q ni 2  ）[P9]在室温下的典型值为（ ） 6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（增大），势垒区的势垒高度会（提升）。 8、在P型中性区与耗尽区的界限上，少子浓度 np与外加电压 V之间的关系可表示为 （np(xp) np0exp(qv)）P18。若P型区的混杂浓度NA1017cm3，外加电压V KT =，则P型区与耗尽区界限上的少子浓度 np为（1025cm3）。 9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区界限上的少子浓度比该处的均衡少子浓度（大）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区界限上的少子浓度比该处的均衡少子浓度（小）。 10、PN结的正向电流由（空穴扩散）电流、（电子扩散）电流和（势垒区复合）电流 三部分所构成。 11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷根源是（多子）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷根源是（少子）。 微电子器件（第三版）陈星弼 电子科技大学中山学院 /——2 陈卉/题目 王嘉达/答案 答案为个人整理，若有错误请 认真甄别 ！厚德 博学 求是 创新 12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非均衡电子一边向前扩散，一边（复 合）。每经过一个扩散长度的距离，非均衡电子浓度降到本来的（ ??）。 ?? 13、PN结扩散电流的表达式为（Jd Jdp Jdn I0[exp(qv)1]）。这个表达式在正向电 KT qv ），在反向电压下可简化为（Jd J）。 压下可简化为（JdJ0exp(KT) 14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（ 势垒区复合）电流为主；当电压较高 时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两此中性区的长度小于（该区的少子扩散长度）。 在薄基区二极管中，少子浓度的散布近似为（ 线性散布）。 16、小注入条件是指注入某区界限邻近的（ 非均衡少子）浓度远小于该区的（均衡多 子）浓度，所以该区总的多子浓度中的（ 非均衡）多子浓度能够忽视。 17、大注入条件是指注入某区界限邻近的（ 非均衡少子）浓度远大于该区的（均衡多 子）浓度，所以该区总的多子浓度中的（ 均衡）多子浓度能够忽视。 18、势垒电容反应的是PN结的（微分）电荷随外加电压的变化率。 PN结的混杂浓度 越高，则势垒电容就越（大）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ 小）。 19、扩散电容反应的是PN结的（非均衡载流子）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。【P51】 20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大 的反向电流。惹起这个电流的原由是储存在（ N）区中的（非均衡载流子）电荷。 这个电荷的消逝门路有两条，即（ 反向电流的抽取）和