第4章+集成电路制造工艺 .pptx

第四章 集成电路(jíchéng-diànlù)制造工艺 第一页，共79页。 —制造业— 芯片制造(zhìzào)过程 第二页，共79页。 集成电路(jíchéng-diànlù)芯片的显微照片 第三页，共79页。 集成电路(jíchéng-diànlù)工艺 前工序 图形转换技术：主要包括光刻(lithography)、刻蚀(etch)等技术 薄膜制备技术：主要包括外延(expitaxy)、氧化(yǎnghuà)(oxidition)、化学气相淀积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、物理气相淀积(PVD, Physics vapor Deposition)(如溅射(sputtering )、蒸发(evaporation )) 等 掺杂技术：主要包括扩散(Diffusion)和离子注入(Ion Implantation)等技术 第四页，共79页。 集成电路(jíchéng-diànlù)工艺 后工序 划片 封装 测试 老化(lǎohuà) 筛选 第五页，共79页。 集成电路(jíchéng-diànlù)工艺 辅助工序 超净厂房技术 超纯水、高纯气体(qìtǐ)制备技术 光刻掩膜版(Mask)制备技术 材料准备技术 第六页，共79页。 半导体制造工艺(gōngyì)分类 第七页，共79页。 一、双极型集成电路(jíchéng-diànlù)工艺流程 在集成电路(jíchéng-diànlù)中，通常将硅片上用于制作各种元器件的区域叫作有源区（active region），其它器件的区域叫作场区（field）。 第八页，共79页。 典型的PN结隔离的掺金TTL电路(diànlù)工艺流程 第九页，共79页。 第十页，共79页。 第十一页，共79页。 第十二页，共79页。 （4）第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 隔离扩散的目的是在硅衬底上形成许多孤立的外延层岛，以实现各元件(yuánjiàn)间的电隔离。 目前最常用的隔离方法是反偏PN结隔离。一般P型衬底接最负电位，以使隔离结处于反偏，达到各岛间电隔离的目的。 第十三页，共79页。 第十四页，共79页。 第十五页，共79页。 第十六页，共79页。 （8）第六次光刻——金属化内连线光刻 反刻铝形成金属化内连线后的芯片(xīn piàn)复合图及剖面图如图。 第十七页，共79页。 二、MOS集成电路(jíchéng-diànlù)工艺流程 CMOS工艺(gōngyì)技术是当代VLSI工艺(gōngyì)的主流工艺(gōngyì)技术，它是在PMOS与NMOS工艺(gōngyì)基础上发展起来的。其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺(gōngyì)技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺(gōngyì) N阱CMOS工艺(gōngyì) 双阱CMOS工艺(gōngyì) 第十八页，共79页。 Si nMOSFET器件(qìjiàn)加工工艺 p-Si 栅氧SiO2 LPCVD生长(shēngzhǎng)多晶硅 离子注入形成(xíngchéng)源漏 PECVD SiO2 ICP刻蚀 金属淀积Al，ICP刻蚀形成电极 PECVD Si3N4 第十九页，共79页。 第二十页，共79页。 双阱CMOS工艺主要(zhǔyào)步骤 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长(shēngzhǎng)Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4， P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长(shēngzhǎng)SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长(shēngzhǎng)Si3N4，有源区光刻 和腐蚀，形成有源区版。 （6） N管场注入光刻，N管场注入。 第二十一页，共79页。 双阱CMOS工艺(gōngyì)主要步骤 （7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅 氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。 （8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成 多晶硅版。 （9） NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。 （10） PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。 （11）硅片表面生长(shēngzhǎng)SiO2薄膜。 （12）接触孔光刻，接触孔腐蚀。 （13）淀积铝，反刻铝，形成铝连线。 第二十二页，共79页。 三、光刻与刻蚀工艺(gōngyì) 光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由