第四章 半导体的导电性.pptxVIP

第四章 半导体的导电性;4.1 载流子的漂移(piāo yí)运动和迁移率 1.欧姆定律 ;μ为迁移率，单位电场(diàn chǎng)下电子的平均漂移速度。单位cm2/V.s;4.2 载流子的散射(sǎnshè);1)电离(diànlí)杂质散射：;2)晶格振动的散射 在一定温度下，晶格中原子都在各自的平衡位置附近(fùjìn)作微小振动。振动在晶格中传播形成格波。格波有声学波和光学波。;根据统计计算(jì suàn)，格波的平均能量为;第八页，共46页。;声学波散射(sǎnshè)概率：;散射(sǎnshè)概率随温度的变化主要决定于指数因子，当温度较低是，指数因子迅速随温度下降而减小，散射(sǎnshè)概率减小。在低温时光学波对散射(sǎnshè)不起作用。 如n型GaAs，光学波最高频率8.7x1012s-1，声子能量0.036eV，对应温度417K。在T100K时，可以认为光学波散射(sǎnshè)不起作用。;（1）中性杂质散射：在温度很低时，未电离(diànlí)的杂质(中性杂质)的数目比电离(diànlí)杂质的数目大得多，这种中性杂质也对周期性势场有一定的微扰作用而引起散射．但它只在重掺杂半导体中，当温度很低，晶格振动散射和电离(diànlí)杂质散射都很微弱的情况下，才起主要的散射作用．;4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系1、平均(píngjūn)自由时间和散射概率的关系;设有N个电子以速度v沿某方向运动，N（t）和N（t＋△t）分别(fēnbié)表示在t时刻和t＋△t时刻尚未遭到散射的电子数。则t到t＋△t时间内被散射的电子数为N（t）P△t，即：;设N0为t＝0时未遭散射的电子数。所以(suǒyǐ)在t到t＋dt时间内被散射的电子数为：;平均(píngjūn)漂移速度;第十六页，共46页。;对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶体(jīngtǐ)的不同方向有效质量不同，所以迁移率与有效质量的关系较为复杂． 下面以硅为例说明迁移率计算。;设电子(diànzǐ)浓度为n，每个能谷单位体积中有n/6个电子(diànzǐ)，电流密度Jx为：;3、迁移率与杂质(zázhì)和温度的关系;若几种散射同时起作用时，则总的散射概率应该(yīnggāi)是各种散射概率的总和，即：;下面以掺杂Si、Ge半导体为例，定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化情况．在这种半导体中，通常起主要作用(zuòyòng)的散射机构是声学???散射和电离杂质散射．;第二十二页，共46页。;1) 杂质浓度增加(zēngjiā)，在室温下，杂质全部电离，因此杂质散射增强，迁移率减小.;第二十四页，共46页。;第二十五页，共46页。;材料;4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度(wēndù)关系;1、电阻(diànzǔ)与杂质浓度的关系;第二十九页，共46页。;第三十页，共46页。;2、电阻率随温度(wēndù)的变化;AB段 温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率也随温度升高而增大，所以(suǒyǐ)，电阻率随温度升高而下降． ;求室温(shì wēn)本征硅的电阻率和掺杂百万分之一硼后电阻率。;4.6 强电场(diàn chǎng)下的效应、热载流子;半导体中载流子在弱电场作用下的输运满足欧姆定律．然而，在强电场作用下，载流子的输运特性不同于弱电场下的情况，欧姆定律不再成立。反映(fǎnyìng)出电导率(迁移率)随场强变化。 ; 原因：在强电场(diàn chǎng)下载流子成为热载流子。即载流子从电场(diàn chǎng)中获得能量的速率大于其与晶格振动发射声子失去能量的速率，载流子热运动速度增加。;若只考虑电子与晶格散射，讨论平均漂移速度与电场强度的关系，电子声子间相互作用遵守(zūnshǒu)准动量和能量守恒定律;设电场强度为E时的迁移率为 ，平均漂移速度为 ，仍定义 ，则在电场作用下，单位时间内电子由电场中获得(huòdé)的能量为：;（1）当 ，则;（4）当电场强度再增大，电子和晶格散射时便可以发射光学声子。设 为光学声子能量，v为电子热运动速度，一般情况 。假定电子遵守玻耳兹曼分布(fēnbù)，则v的平均值可表示为：;2、负微分(wēi fēn)电导;负阻效应产生(chǎnshēng)条件：半导体能带结构中存在多能谷，且能谷的曲率不同；载流子发生能谷间散射。;图4-19 与 的关系(guān xì);2）高强(gāoqiáng)畴区及耿氏振荡;(2) 当处于负微分迁移范围，空间电荷迅速增加，从而形成高场畴区，出现(chūxiàn)振荡现象。;内容(n