第八章半导体器件.ppt

* * * （二）工作原理 以NMOS管为例 1.增强型MOS场效应晶体管 S G D P型硅衬底 N区 N区 B DS之间加电压UDS，N漏区和 N漏区与P型衬底之间形成的两 个PN结总有一个因反向偏值而 截止。 ID?0 UDS ID GS之间加正向电压UGS， UGS? UGS（th）时，形成 不能导电的耗尽层。 耗尽层 反型层 当UGS?UGS（th）时，形成了反型层，成为DS之间的导电沟道。 UGS（th）称为开启电压。 UGS 当UGS?UGS（th）， UDS ?0时，产生ID NMOS导电沟道的形成 第8章 8? 6 （二）工作原理 以NMOS管为例 1.增强型MOS场效应晶体管 P型硅衬底 N区 N区 S G D B UDS ID 耗尽层 反型层 改变UGS，就能改变导电沟道的厚薄和形状，从而实现对漏极电流ID的控制。场效应管是由UGS控制ID，故为电压控制元件。 UGS NMOS管导通状态 其控制能力可通过跨导来 表示： gm= ?ID ? UGS UDS=常数 单位：西门子 第8章 8? 6 （二）工作原理 2. 耗尽型MOS场效应晶体管 制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。 P型硅衬底 N区 N区 S G D B 正离子 SiO2 耗尽层 反型层 UGS=0形成导电沟道 UGS?0导电沟道变厚 UGS? 0导电沟道变薄 UGS= UGS（off）（夹断电压） 导电沟道消失 当UGS?UGS（off）， UDS?0 产生ID，改变UGS导电沟道 厚度，实现对ID的控制。 第8章 8? 6 （三）特性曲线 1 .转移特性 ID=f（UGS） UDS=常数 增强型NMOS场效应晶体管 2 .漏极特性 ID=f（UDS） UGS=常数 UGS=+ UDS ID 0 UGS=+ UGS=+ UGS（th） UGS ID 0 第8章 8? 6 （三）特性曲线 1 .转移特性 ID=f（UGS） UDS=常数 耗尽型NMOS场效应晶体管 2 .漏极特性 ID=f（UDS） UGS=常数 UGS=0 UDS ID 0 UGS=+ UGS=? UGS（off） UGS ID 0 第8章 8? 6 （四）VMOS功率场效应晶体管 N N P P N型硅外延层 N型硅衬底 D G S 氧化层 第8章 8? 6 集成电路：采用微电子技术将二极管、晶体管、场效应 晶体管、电阻、电容等元件和导线组成的电 路集合在一小块半导体晶片上，封装上外壳 ，向外引出管脚，构成一个完整的、具有 一定功能的电路。 8.7 集成电路 小规模集成电路（SSI）：每块晶片上不超过100个元、 器件 。 中规模集成电路（MSI）：每块晶片上元、器件个数在 100~1000个左右。 大规模集成电路（LSI）：每块晶片上元、器件个数在 1000~10000个左右。 第8章 8? 7 8.7 集成电路 超大规模集成电路（VLSI）：每块晶片上元、器件个数 在10000个以上。 集成电路分为模拟集成电路和数字集成电路 集成电路在制造工艺方面的特点： （1）易做到电气特性对称，温度特性一致 （2）集成电路高阻值常采用恒流源电路代替 （3）集成电路的级间常采用直接耦合的方式 第8章 8? 7 晶闸管又称可控硅（SCR），是一种大功率的半导体器件。 分类：有普通型、双向型和可关断型。 它的出现，使半导体器件进入强电领域。 优点：体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维护简单、 操作方便，寿命长等； 缺点：过载能力差，抗干扰能力差、控制比较复杂。 8.8 晶闸管 第8章 8? 8 （一）普通晶闸管 A G K A K G J1 J2 J3 P N P N 阳极 阴极 控制极 符号 1.晶闸管的结构和符号 其内部结构为： 四层半导体，三个 PN结。 文字符号为T。 T 8.8 晶闸管 第8章 8? 8 2. 晶闸管的工作原理 P N P N K G A A (PNP) K G T2 T1 A P N P N P N K G iA iB2 iG iC2 (NPN) iB1 iK (1)晶闸管截止时，若uA0, uG?0,因下面两个PN结反偏 晶闸管仍截止。 A G iA K T2 T1 RL EA iG iB2 iC2 iB1