第34章微电子集成电路.pptxVIP

集成电路基础工艺与制造工艺 系统需求设计掩膜版芯片制造过程芯片检测封装测试单晶、外延材料集成电路设计与制造的主要流程框架功能要求行为设计（VHDL）否行为仿真是综合、优化——网表否时序仿真是布局布线——版图后仿真否是Sing off集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授集成电路的设计过程： 设计创意 + 仿真验证—设计业—芯片制造过程硅片由氧化、淀积、离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层曝 光用掩膜版重复20-30次刻 蚀测试和封装—制造业—AA集成电路芯片的显微照片集成电路的内部单元(俯视图)N沟道MOS晶体管CMOS集成电路(互补型MOS集成电路)：目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。第3章 集成电路工艺简介图形转换：光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀掺杂：离子注入 退火扩散制膜：氧化：干氧氧化、湿氧氧化等CVD：APCVD、LPCVD、PECVDPVD：蒸发、溅射图形转换：光刻光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条正胶：曝光后可溶负胶：曝光后不可溶 第4章CMOS集成电路加工过程简介一、硅片制备二、前部工序掩膜1： P阱光刻具体步骤如下：1．生长二氧化硅：2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀3．去胶4．掺杂：掺入B元素掩膜2 ： 光刻有源区淀积氮化硅光刻有源区场区氧化去除有源区氮化硅及二氧化硅生长栅氧淀积多晶硅掩膜3 ：光刻多晶硅掩膜4 ：P+区光刻 1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶掩膜5 ： N+区光刻 1、N+区光刻 2、离子注入P+ 3、去胶掩膜6 ：光刻接触孔掩膜7 ：光刻铝引线1、淀积铝2、光刻铝掩膜8 ：刻钝化孔中测打点三、后部封装 （在另外厂房）（1）背面减薄（2）切片（3）粘片（4）压焊：金丝球焊（5）切筋（6）整形（7）所封（8）沾锡：保证管脚的电学接触（9）老化（10）成测（11）打印、包装