脉冲高频1150-1KW-13.56-MHZE类高频发生器调谐模块.docxVIP

脉冲高频类高频发生器调谐模块 脉冲高频类高频发生器调谐模块 PAGE 脉冲高频类高频发生器调谐模块 脉冲高频-1150 1KW MHZ E类高频发生器调谐模块 马修·w·瓦尼亚 定向能源公司 摘要 PRF-1150 模块是一个独立的1KW MHZ 高频发生源。这个模块使DEI420射频场效应管门驱动集成电路和DEI275x2 - 102 n06a射频场效应晶体管在实际 MHz射频发电机的应用程序便于操作和求值。它应用广泛，可先期测验，并且便于运行。 引言 DEI已经开发了射频模块去证明DEIC420射频MOSFET门驱动集成电路和DEI275 - 102 n06x2a 1000 V 6 A在ISM(Industrial Scientific Medical)工业、科学、医学)的频段射频场效应晶体管频率的能力。PRF-1150模块产生，1000W CW的射频输出,85%的直流射频转换率。此模块为独立的射频放大器。如要产生1KW的射频输出，只需要满足外部直流源的供应。此模块尺寸如图表一所示：**?，包括空气冷却散热器和铜热分布。冲击来自于标准的工用电扇为1KW输出级提供适当的冷却。标准的双排和单排头被用于模块的直流输入和单直角同轴电缆卡环形接头（BNC——Bayonet Neill-Concelman）连接器被用于1KW 50Ω射频负载和衰减器的射频输出。 图1：PRF-1150 1KW RF 放大模块 模块描述： 模块描述时请参考图1-6。该模块通过连接器J1用低压直流。分别与5V@30ma和15V@3A分别于J1的频针4和频针2连接。如果适当的电压被接通，发光二级管D3和D5将发绿光。U1是一个能提供50%占空比的0-5V的方波的时钟频率为电压源。U2A提供脉冲宽度可调源驱动U4，DEIC420门驱动集成电路。 图2 脉波高频-1150直流电和门驱动原理图 U4将门驱动脉冲转换为能驱动双102N06A(DE275X2-102N06A)场效应管U3门的15Vp波形大电流。R10，11，15，16和R27-30 8个2Ω的电阻并联以抑制栅极驱动信号。J3提供接触点和示波器直接监控场效应管栅极信号。JP1的电压供应范围为0-300V。作为一个安全措施，当JP1接通高压时LED D2将发出红光。L1是一个射频扼力为21 uH通过JP1来阻止射频离开模块。 图3：脉冲高频-1150 高频部分原理图 C21，25,26,36,37,48,50,51和53为E类运行提供了必要的支路电容。C36，37，51和53形成11:1的电容分压器为J4提供漏极电压。C5，6，7，9，10，11，15，16，41，42和43一起形成一系列回路电容器，Ct。L2作为主要回路感应器和部分为匹配高频负载的回路电阻电感匹配。C1，2，35和C38-40形成电感匹配网络Co部分支流。J2是RF模块输出信号BNC接口。 图4：PRF-1150 顶视图 图5：PRF-1150左侧顶视图 图6：PRF-1150右侧顶视图 图7:1KW E类逻辑图 工作原理 参照图7，激活装置，U3因具有高速旋转开关特性而被选作为低无线电数据系统RDSon resistance and low COSS and CRSS,同样地，在其饱和的运行模式中它将是一个有效的低损耗开关。在转换期间，谐振负载网络在有源装置中设计以使其瞬态响应的功耗最小化。 图8描述了理想的E类电路的波形。在激活装置的关闭状态，漏极电流仍然保持在0，而装置两端的电压Vds, 增加至最高倍Vdd(t0 t1)。在关闭循环结束的时候（T1），激活装置两端电压已减少至零。当Vgs（T1）供应时，通过激活装置的电流增至最大值的倍ldc，在开状态（T2）门驱动结束时，Vgs被移除，同时在电压开始增长时电流跌至零。 图8：理想E类波形 原理上，当漏极电压通过装置时电流是不可预知的，同样，当漏极电流通过时，电压通过装置的电压也是未知的。通过开关转换（T1，T2）,电压和电流都有零交换值。以这种方式，伴随着开关损耗，唯一的损失依然是传导。高功率E类放大器的理想效率将达到≥90%。 图7中，有四个无源元件Cd, Ct, Lt,和有源RF负载电阻R1组成的共振负载网络连接至BNC接口J2。四个元件的值依据共振频率和Q在图8中产生的理想波形选择。 如图7显示的射频扼流器，在运行频率fo时，本质上是高阻抗的。作为谐振电路的恒流源它的值是足够高的。 计算E类元件的值 假设设计的RF输出功率，运行频率和直流电源供应电压已知，并且共振负载网络的负载Q值已知，我们就能计算出E类共振元件的值。在此设计中运行频率为。供应电压需依据已知的输出功率设置，且已知最大开关装置漏极电压能达到倍电源电压。有源负载电阻R是预想的高频输出功率和直流电压的函数值。