晶圆制造工艺ETCH完整版.docxVIP

叽造工艺叫 晶圆制造1:艺流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(ChemicalVapordeposition)法沉积一层 Si3N4 (HotCVD 或 LPCVD) O 常压 CVD(NormalPressureCVD) 低压 CVTKLowPressureCVH) 热 CVD(HotCVD)/(thermalCVD) 电浆增强 CVD(PlasmaEnhancedCVD) MOCVD(MetalOrganicCVD)分子磊晶成长(MolecularBeamEpitaxy) 6)外延生长法？(LPE) 4、 涂敷光刻胶？ 光刻胶的涂敷？ 预烘(prebake) 曝光 显影 后烘(postbake) 6)腐蚀(etching) (7)光刻胶的去除 5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除 6?.离子布植将硼离子(B十3) 透过S102?膜注入衬底，形成P?型阴 去除光刻胶，放商温炉中进行退火处理 8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷(P+5) 离子.形成N?型阱 9、 退火处理，然后用HF?去除Si02?层 干法氧化法生成一层Si02?层.然后LPCVD?沉积一层氮化硅 11s利用光刻技术和离子刻蚀技术.保留下栅隔离层上而的氮化硅层 湿法氧化.生长未有氮化硅保护的Si02?层，形成PN?之间的隔离区 热磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除栅隔离层位宜的Si02,并重新生成品质更好的S102薄膜，作为栅极氧化层。 LPCVD?沉积弱晶硅层，然后涂敷光阻进行光刻?以及等离子蚀刻技术.栅极结构，并氧化生成SM2?保护层。 表面涂敷光阻，去除P?阱区的光阻?注入碑(As) 离子.形成XM0S?的源漏极。州同样的方法，在N?阱区，注入B? 离子形成PM0S?的源漏极。 利用PECVD?沉积一层无掺朵氧化层，保护元件，并进行退火处理。 沉积掺朵硼磷的氧化层 溅镀第一层金屈 (1)薄膜的沉积方法根据其用途的不同而不同，厚度通常小于lorn?。 2)真空蒸发法(EvaporationDeposition) (3)溅镀(SputteringDeposition) 19s光刻技术定出?VIA?孔洞.沉积第二层金属?并刻蚀岀连线结构。然后，用PECVD?法氧化层和氮化硅保护层。 光刻和离子刻蚀.定出PAD?位宜？ 21、 最后进行退火处理，以保证整个Chip?的完整和连线的连接性？ 晶圆制造总的工艺流程 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer?Fabrication).晶圆针测工序(Wafer?Probe) x构装工序(Packaging).测试 匸序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front?End) I：序,而构装工序、测 试工序为后段(Back?End)匸序。 1、 晶圆处理丄序：木工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管.电容、逻辑开关等)?处理程序通常与产品种 类和所使用的技术有关，但一般基木步骤是先将晶圆适、”1清洗.再在其表血进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显 影.蚀刻.离子植入、金属澱镀等反复步骤.最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。 2、 晶圆针测1：序^经过上道匸序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般情况下.为便干测试.提商效率，同一片晶圆 上制作同一品种、规格的产品：但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特 性?并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗做独的晶粒.再按其电气特性分类.装入不同的托盘中，不合格的晶 粒则舍弃。 3、 构装I：序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连 接.以作为与外界电路板连接之用，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或岛温破坏。到此 才算制成了一块集成电路芯片(即我们在电脑里可以看到的那些黑色或 褐色.两边或四边带有许多插脚或引线的矩形小块)。 4、 测试丄序：芯片制造的最后一道工序为测试，其又可分为一般测试和特殊测试，前者是将封装后的芯片宜于各种环境下测试其 电气特性.如消耗功率、运行速度、耐压度等。经测试后的芯片.依其电气特性划分为不同等级。而特殊测试则是根据客户特殊需 求的技术参数.从相近参数规格.品种中拿岀部分芯片?做有针对性的专门测试.看是否能满足客户的特殊需求，以决定是否须为 客户设讣专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片 则视其达到的参数情况定作降级品或废品 ETCH? 何谓蚀刻(Etch) 答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要