管道试压吹扫规范要求.docxVIP

Word文档下载后（可任意编辑） 第 PAGE 1 第 PAGE 1 页 共 NUMPAGES 1 页 管道试压吹扫规范要求 一、工程概况  特变电工多晶硅项目一期工程中的管道介质分为蒸汽、蒸汽冷凝液、氢气、氯化氢、仪表空气、制冷液、冷却水、氮气、洗涤液、氯硅烷〔汽、液〕等，管道材质有不锈钢、碳钢、合金钢等。为了使管道试压、吹扫工作能顺利的进行，特编制本施工说明书。  由于多晶硅装置生产中氯硅烷等介质遇水反应生成盐酸将腐蚀设备管道，并在反应同时产生氢气将造成爆炸危急。此外结合国内多晶硅行业的建设、生产操作习惯，为保证各项目的开车进度，管道命名表中的大量管道在试验介质栏填写的是“空气〞〔或氮气〕，与常规设计中大量采纳水压有较大区分。本规定提请各施工单位在试验时留意气压试验的危急性，应合理组织试压回路避开由此带来的风险。若选择水压试验，则请留意在水压试验后将系统中的水排净，并保证在输送氯硅烷等工艺介质前将系统枯燥吹扫至露点-40℃以下。  使用范围：  成达工程公司负责工程设计的全部多晶硅装置HCL合成、三氯氢硅合成、精馏提纯、罐区、氢化、还原、三套尾气分别系统〔CDI〕、这几个主要工序中氯硅烷管道及与氯硅烷管道设备直接相连的HCL，H2,N2等管道，不适用于废气及废液处理工序。  采纳的主要标准：  GB50235-97《工业金属管道工程施工及验收规范》  试验基本根据：  管道在脱脂清洗、安装完毕、热处理及无损检验合格后应进行压力试验，试验介质和压力的选择建议按成达工程公司提交的设计文件《管道命名表》进行。  选择水压试验的管道应留意：  在水压试验前将安全阀、调整阀、仪表元件、特别管件等短节代替或隔离，试验合格后从低点排净水，然后用洁净无油的热空气或氮气枯燥吹扫。  在进行了水压强度试验后，多晶硅装置中的氯硅烷，H2这些易燃介质还应按GB50235-97的规定进行泄露性试验，试验介质为空气，试漏压力为设计压力值，具体执行请参照规定。  选择气压试验的管道应留意：  选择气压试验的管道应遵守GB50235-97的规定，主要解释如下：  1.??? 必需经建设单位批准：  2.??? 试压前必需先用空气进行预试验，试验压力为0.2MPa；  3.??? 试验时应掌握试验区域并警示，警戒线距试验系统部小于25m；  4.??? 试验时应加装临时的泄压安全阀，其设定压力不高于试验压力+345KPa或1.1倍试验压力的两者中的较小者。  5.??? 试验时应逐步缓慢增加压力，当压力升至试验压力的50%时，如未发觉异状或泄露，继续按试验压力的10%逐级升压，每级稳压10min，直至试验压力，稳压10min,再降至设计压力，停压时间应依据查漏工作需要而定。以发泡剂检验不泄露未合格。  6.??? 试验需采纳露点低于-40℃的枯燥无油空气或氮气未试压介质，环境温度低于0℃不能进行气压试验，严禁使试验温度接近金属的脆性转变温度：  7.??? 气压试验必需掌握管道的长度，确保在试验的管道系统中的最大蓄能不超过135.6百万焦耳。计算公式见附一。  8.??? 试压系统的泄压速度掌握在最大0.1MPa/min，以不损害到人员和设备。经气压试验管道合格，且在试验后未经拆卸的管道可不再进行泄漏性试验。  吹扫指标如下：  空气或氮气吹扫过程中，当目测排气无烟尘时，应在排气口设置贴白布或涂白漆的木制靶板检验，5min内靶板上无铁锈、尘土、水分及其他杂物，露点-40℃以下，应为合格。具体要求如下：  露点： ≤-40℃  油含量：≤0.01mg/m3 (21℃)  尘埃粒子：≤0.01um(21℃)  最终检验系统中含水量≤50ppm为合适。  附一：最大蓄能的计算公式  对试验介质为空气或氮气  E=360*P1*V*［1-〔P0/ P1〕0.286］  式中：  E=内能〔ft-lbs〕  P1=试验压力+p0(Psia)  P0=大气压力(Psia)  V=系统的总体积〔Cuft〕  K=绝热指数Cv/Cp(空气和氮气为1.4)  ?  二、编制根据  2.1 《石油化工剧毒、可燃介质管道工程及验收规范》〔SH3501-1997〕  2.2 《工业金属管道工程施工及验收规范》〔GB50235-97〕  2.3 《石油化工施工安全技术规程》SH3505-1999  2.4?工艺管道专业施工图纸  三、试压程序  3.1管道试压前应由施工单位编制试压方案、应急预案等方案，并经监理单位、业主审核批准同意后方可实施。同时施工单位需提交试压方案给当地特检院