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可控硅工作原理06349 可控硅工作原理 TAG标签: 可控硅 一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可 控整流元件，简称为可控硅SCR。 在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。 它只有导通和关断两种状态。 可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通 过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。 可控硅的优点很多，例如:以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级 内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等。 可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。 可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。 1、可控硅元件的结构 不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3)，从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G， 所以它是一种四层三端的半导体器件。 2、工作原理 可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由