EUV光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法与流程.docx

PAGE PAGE 1 EUV光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法与流程 euv光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法技术领域1.本创造涉及一种euv光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法。背景技术：2.在ic(integrated circuit，集成电路)及lsi(large scale integrated circuit，大规模集成电路)等的半导体器件的制造工艺中，进行用法了感光性组合物的基于光刻的微细加工。3.作为光刻方法可以举出在由感光性组合物形成抗蚀剂膜之后，曝光所获得的膜，然后进行显影的方法。尤其，近年来，正在进行曝光时用法euv(extreme ultraviolet：极紫外)光的争辩(专利文献1)。4.以往技术文献5.专利文献6.专利文献1：国际专利公开2018/193954号技术实现要素：7.创造要解决的技术课题8.euv光的波长为13.5nm，比arf(波长193nm)光等的波长短，因此在相同灵敏度下曝光时的入射光子数量少。因此，光子的数量在概率上“光子散粒噪声”的影响大，导致ler(line edge roughness：线边缘粗糙度)的恶化。为了削减光子散粒噪声，有增加曝光量来增加入射光子数量的方法，这与高灵敏度的要求折衷。并且，还有增加抗蚀剂膜厚来增加吸取光子