DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程_3.docxVIP

PAGE PAGE 1 DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程 dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备技术领域1.本创造涉及dram芯片测试领域，尤其涉及一种dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。背景技术：2.动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram),是当代计算机系统不行或缺的组成部件，分平台可有应用于个人电脑或服务器的双倍速率同步动态随机存储器(double data rate，ddr)模组以及应用于嵌入式arm架构的低功耗内存(low power double data rate，lpddr)芯片。3.lpddr的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写。cell依据行列方式进行排列，所组成的阵列被称为bank(存储体或存储库)，每个lpddr芯片均有多个bank，当前lpddr4为8个，为示例便利，文中的图示以4个bank进行举例。4.另外，由于当前dram为了高效的存取速率接受的是突发读写方式，即读写操作在一个存储阵列中是以突发长度(burst length,bl)为单位进行的，一次操作多位(如8位、16位或32位)列地址的读写，并对每个突发长度里访问由0和1组成的数据。例如定位的地址是0行，突发