DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程_1.docxVIP

PAGE PAGE 1 DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备与流程 dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备技术领域[0001]本创造涉及dram芯片测试领域，尤其涉及一种dram测试方法、装置、可读存储介质及电子设备。背景技术：[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)是一种半导体存储器，是当代计算机系统不行或缺的组成部件，分平台可有应用于个人电脑或服务器的双倍速率同步动态随机存储器(double data rate，ddr)模组以及应用于嵌入式arm架构的低功耗内存(low power double data rate，lpddr)芯片。[0003]dram的基本存储单元为cell，计算机及嵌入式系统通过在cell中写入高电平或低电平的方式进行数据存储和读写，但是由于制程工艺的影响使得存储单元在读写时有可能造成数据存储故障，使得存取速率低下。[0004]为了解决上述问题，当前dram接受的是突发读写模式，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作。即读写操作在一个存储阵列中是以突发长度(burstlength，bl)为单位进行的，一次操作多位(如8或16位)列地址的读写，并对每个突发长度里访问由0和1组成的数据。例