x射线光电子能谱分析案例.ppt

8.2 光电子能谱仪实验技术 筒镜式电子能量分析器 同轴圆筒，外筒接负压、内筒接地，两筒之间形成静电场； 灵敏度高、分辨率低； 第二十八页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 3. 检测器 用电子倍增器检测电子数目。电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面的静电器件，内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增，增益可达 109 第二十九页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 1、减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度。 2、降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内，残留气体会吸附到样品表面上，甚至有可能和样品发生化学反应，从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。 298K吸附一层气体分子所需时间10-4Pa时为1秒；10-7Pa时为1000秒 4.真空系统 第三十页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 第三十一页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.3 XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标：动能或结合能，单位是eV，一般以结合能 为横坐标。 纵坐标：相对强度（CPS）。 结合能为横坐标的优点： 结合能比动能更能反应电子的壳层结构（能级结构）， 结合能与激发光源的能量无关 第三十二页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 谱峰、背底或伴峰 （1）谱峰：X射线光电子入射，激发出的弹性散 射的光电子形成的谱峰，谱峰明显而尖锐。 （2）背底或伴峰：如光电子(从产生处向表面)输 送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的 能量损失峰，X射线源的强伴线产生的伴 峰，俄歇电子峰等。 第三十三页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 XPS谱图的背底随结合能值的变化关系 （3）背底峰的特点 在谱图中随着结合能的增加，背底电子的强度逐渐上升 。 第三十四页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 3. XPS峰强度的经验规律 （1）主量子数小的壳层 的峰比主量子数大 的峰强； （2）同一壳层，角量子 数大者峰强； （3）n和l都相同者，j大 者峰强。 第三十五页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.4 XPS的能量校正 1. 静电效应 在样品测试过程中，光电子不断从表面发射，造成表面电子“亏空”，对金属样品，通过传导来补偿。对绝缘体，会在表面带正电，导致光电子的动能降低，结合能升高。严重时可偏离达10几个电子伏特，一般情况下都偏高3~5个电子伏特。这种现象称为“静电效应 ”，也称为“荷电效应”。 第三十六页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 校正方法 (1) 外标法（最常用） C 1s结合能：284.6 eV 若荷电效应在实验过程中不稳定，则实验前后各扫一次C 1s谱，取平均值。 （2） 内标法 以相同环境化学基团中电子的结合能为内标； 决定相对化学位移，而不是绝对的结合能 （3）超薄法 第三十七页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 8.2.5元素的定性和定量分析 绝对灵敏度：10-18g 相对灵敏度：0.1% 1. 定性分析 （1） 先找出C1s、O1s 峰 （2）找出主峰位置，注意自旋双峰，如 p1/2，3/2； d3/2，5/2；f5/2，f7/2，并注意两峰的强度比 （3）与手册对照 第三十八页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 2. 定量分析 假定在分析的体积内样品是均匀的，则这种从特定的谱线中所得到的光电子数可用谱线包括的面积 I 表示，则元素的原子密度为： S---原子灵敏度因子－可查 两种元素的浓度比： 第三十九页，编辑于星期五：二十一点 十五分。 8.2 光电子能谱仪实验技术 对多种元素中的某一元素浓度： 注意： （1）不适用非均匀样品； （2）对过渡金属，不同的化学状态有不同的原子灵敏度因子； （3）上式的误差10-20%