IGBT器件及其制作方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 IGBT器件及其制作方法与流程 igbt器件及其制作方法技术领域1.本创造属于半导体集成电路设计及制造领域，特殊是涉及一种igbt器件及其制作方法。背景技术：2.igbt(绝缘栅双极型晶体管)，是由bjt(双极型三极管)和mosfet(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，因此它既具有mosfet输入阻抗高、驱动电路功率小、驱动简洁、开关速度快、开关损耗小的优点，又具有bjt电流密度大、电流处理力量强、导通饱和压降低的优点。自从80年月初创造以来，受到国内外广泛争辩，目前igbt应用前景宽敞，广泛应用于新能源汽车、工业变频、光伏、智能电网和机车等多个领域，随着技术的不断进展，无疑对igbt的性能及牢靠性提出更高的要求。技术实现要素：3.鉴于以上所述现有技术的缺点，本创造的目的在于供应一种igbt器件及其制作方法，用于解决现有技术中igbt关断时过渡区所承受的电流过大的问题。4.为实现上述目的及其他相关目的，本创造供应一种igbt器件的制作方法，所述制作方法包括步骤：供应一衬底，所述衬底包括相对的第一主面及其次主面，于所述第一主面完成igbt器件的正面工艺，形成所述igbt器件的有源区、过渡区及终端区；通过图形掩膜对所述过渡区及终端区的其次主面进行氧离子注入，以在所述过渡区及终端区的其次主面