EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法与流程 euv曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法技术领域1.本创造构思涉及曝光装置和套刻校正方法(overlay correction method)，更具体地，涉及用法极紫外(euv)光的曝光装置以及用法该曝光装置的套刻校正方法。背景技术：2.近来，随着半导体电路的线宽变得越来越细，已经需要在电路的图案化期间用法放射更短波长的曝光光源。例如，euv光已经被用作曝光光源。由于euv光线的吸取特性，在euv曝光工艺中通常用法反射euv掩模。多个反射镜可以被包括在用于将euv光线传输到euv掩模的照射光学系统和用于将从euv掩模反射的euv光线投射到要被曝光的对象的投射光学系统中。随着曝光工艺的难度的增大，在euv掩模和/或反射镜发生的小的误差可能导致在晶片上形成图案中的严峻误差。技术实现要素：3.本创造构思供应一种用于改进euv曝光工艺中的套刻误差的极紫外(euv)曝光装置以及用法该曝光装置的套刻校正方法和半导体器件制造方法。4.依据本创造构思的一方面，一种euv曝光装置包括：euv光源，配置为放射euv光；第一光学系统，配置为将来自euv光源的euv光传输到euv掩模；掩模平台，配置为在其上放置euv掩模；其次光学系统，配置为将从euv掩模反射的euv光传