IGBT器件培训讲义.pptxVIP

IGBT器件培训 目录一、IGBT概述;二、IGBT器件分类;三、IGBT主要电气参数和特性；四、IGBT器件选用；五、IGBT失效分析；六、业界开展趋势；一、IGBT概述1、IGBT定义IGBT－绝缘栅双极性晶体管〔Insolated Gate Bipolar Transistor〕，是80年代初为解决MOSFET的高导通压降〔难以兼顾高压和大电流特性〕和GTR的工作频率低、驱动功耗大等缺乏而出现的双机理复合器件〔Double Mechanism Device〕。相当于一个低压MOSFET和一个高压大电流GTR的复合结构。一、IGBT概述2、IGBT根本结构〔N沟道增强型垂直式IGBT)平面栅极结构和MOSFET不同，IGBT的n区下面有一个p＋导通区。流经n－漂移区的电子在进入p＋区时，少数载流子〔空穴〕由p＋区注入漂移区并流向发射极。由此，n－漂移区载流子出现过盈和增强现象，并导致空间电荷区的缩小以及C-E电压的降低。一、IGBT概述3、IGBT主要特点双极型器件，少子参与导电。空穴电流占总电流的20～25％(NPT)。由于少数载流子注入的基区调制效应，正向饱和压降〔类似于MOSFET的导通电阻〕不再明显受到耐压的影响。在大电流下可获得很低的通态压降和很高的功率处理能力；同等耐压和功率处理能力下，IGBT所需的芯片面积明显小于MOSFET，因而具有本钱优势；具有MOS栅控制结