模拟电子技术基础知识点总结资料.pdfVIP

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  • 2021-11-09 发布于上海
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模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一 .半导体的基础知识 1.半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si、锗 Ge) 。 2.特性 光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体 纯净的具有单晶体结构的半导体。 4.两种载流子 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子) 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴) 。 6.杂质半导体的特性 * 载流子的浓度 多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。 * 体电阻 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 * 转型 通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN 结 * PN 结的接触电位差 硅材料约为 0.6~0.8V ,锗材料约为 0.2~0.3V 。

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