半导体中的载流子的统计.pptVIP

在常温下，已知受主浓度NA，并且全部电离，求导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0 ∵ 受主全部电离 ∴p0=NA p型半导体 第三十一页，共88页 3.3 载流子浓度的计算 导带电子浓度和价带空穴浓度 导带底附近电子能态密度为gC(E), 导带电子分布函数f(E) 价带顶附近空穴能态密度为gV(E), 价带空穴分布函数1-f(E) 单位体积,单位能量间隔内的 导带电子 dN/dE= (1/V) gC(E) f(E)= (1/V) gC(E) fB(E) 价带空穴 dP/dE= (1/V) gV(E) [1-f(E)]= (1/V) gV(E) [1-fB (E)] 第三十二页，共88页 导带电子浓度： 价带空穴浓度： 第三十三页，共88页 积分后,得到: 导带电子浓度 导带等效状态密度 第三十四页，共88页 同样, 价带空穴浓度 价带等效状态密度 第三十五页，共88页 3.4 本征半导体的载流子浓度 1、本征半导体的费米能级 第三十六页，共88页 Ei 为禁带的中心能级，将NC、NV代入： 第三十七页，共88页 推导EF在禁带中的位置 Ge：mdp=0.37mo，mdn=0.56mo 室温时，k0T=0.026ev E