管式PECVD和板式PECVD比较定义.pdfVIP

晶体硅太阳能电池生产的 PECVD技术进展 一 引言 为了提高晶体硅太阳电池的效率， 通常需要减少太阳电池正表面的反射， 还 需要对晶体硅表面进行钝化处理，以降低表面缺陷对于少数载流子的复合作用。 硅的折射率为 3.8 ，如果直接将光滑的硅表面放置在折射率为 1.0 的空气中， 其对光的反射率可达到 30%左右。人们使用表面的织构化降低了一部分反射，但 是还是很难将反射率降得很低， 尤其是对多晶硅， 使用各向同性的酸腐蚀液， 如 果腐蚀过深，会影响到 PN结的漏电流，因此其对表面反射降低的效果不明显。 因此，考虑在硅表面与空气之间插一层折射率适中的透光介质膜， 以降低表面的 反射，在工业化应用中， SiNx 膜被选择作为硅表面的减反射膜， SiNx 膜的折射 率随着 x 值的不同，可以从 1.9 变到 2.3