Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端与流程.docxVIP

PAGE PAGE 1 Nand闪存自动坏块标记方法、装置、存储介质和终端与流程 nand闪存自动坏块标志方法、装置、存储介质和终端技术领域[0001]本创造涉及半导体封装与测试领域，尤其涉及的是一种nand闪存自动坏块标志方法、装置、存储介质和终端。背景技术：[0002]nand flash是 flash存储器的一种，具有容量大，擦写速度快的优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。但nand技术上允许坏块的存在，这降低了nand生产工艺要求，也是nand单位容量价格比nor flash低的缘由。对于nand来说，假如page（页）数据没有出错或者出错bit个数可以被ecc（纠错）码订正，那么该认为该page正常，反之，该page所在的块被认定为一个坏块。坏块可分为出厂坏块和动态坏块。出厂坏块为出厂测试时标志的坏块，出厂坏块的特点如下：回读数据为全0，且用erase指令无法擦除；而动态坏块指的是在应用过程中动态产生的坏块。坏块标志即对于已知的坏块进行标志，假如第 1、2或者最终一个页的spare area 区（备用区）的第一个字节不是 ff，通常认为这个块已经被标志成了坏块。nand 应用过程中，通过识别是否有坏块标志推断该blcok是好是坏，避开用法到坏块。可见，找到nand中的坏块并对已发觉的坏块进行标志和管理，对于后续nand flash 的应用是格外重要的。[0003]传统做法是用机台进行nand坏块标志：以chroma机台为例，对一颗nand flash进行坏块标志，起码需要30分钟，一次仅能容许测试一颗nand flash，耗费时间长，机台占用率高，效率低下；而且机台价格昂贵，增加坏块的标志成本。[0004]因此，现有的技术还有待于改进和进展。技术实现要素：[0005]本创造的目的在于供应一种nand闪存自动坏块标志方法、装置、存储介质和终端，旨在解决现有的用法机台进行坏块标志耗时长，效率低，标志成本大的问题。[0006]本创造的技术方案如下：一种nand闪存自动坏块标志方法，其中，将nand flash装入单片机的pcb板卡中，整个过程在单片机中实现，具体包括以下步骤：读取nand flash的id；使nand flash中的全部块在全部要求的数据模式进行坏块查找；若某一块在某种数据模式下消灭数据读出错误，则标志该块为坏块，最终完成nand flash中全部坏块的标志。[0007]所述的nand闪存自动坏块标志方法，其中，具体包括以下步骤：s01：读取nand flash的id；s02：选定某种数据模式；s03：使nand flash中的全部块在该种数据模式下进行坏块推断；s04：推断nand flash是否已经完成在全部数据模式下的坏块推断，是则跳转至s05，否则跳转至s02；s05：对nand flash中全部坏块进行标志，从而完成nand flash中全部坏块的标志。[0008]所述的nand闪存自动坏块标志方法，其中，所述s03具体包括以下步骤：s31：对nand flash进行全片擦除后再进行全片写入数据；s32：读出nand flash中的一个块内写入的数据，并推断读出的数据是否出错，是则跳转至s33，否则跳转至s34；s33：对所述块的坏块状况进行记录，并跳转至s34；s34：推断nand flash中的全部块是否都已经完成坏块推断，是则跳转至s04，否则跳转至s32。[0009]所述的nand闪存自动坏块标志方法，其中，所述s33中，通过所述块的坏块次数加1实现对所述块的坏块状况进行记录。[0010]所述的nand闪存自动坏块标志方法，其中，所述s05中，通过对nand flash中全部坏块次数大于0的块进行标志以实现对nand flash中全部坏块进行标志。[0011]一种nand闪存自动坏块标志装置，其中，所述nand闪存自动坏块标志装置设置在单片机的pcb板中，将nand flash装入单片机的pcb板卡中，包括：id读取模块，读取nand flash的id；查找模块，使nand flash中的全部块在全部要求的数据模式进行坏块查找；标志模块，若某一块在某种数据模式下消灭数据读出错误，则标志该块为坏块。[0012]所述的nand闪存自动坏块标志装置，其中，所述nand闪存自动坏块标志装置设置在stm32单片机的pcb板中。[0013]所述的nand闪存自动坏块标志装置，其中，所述标志模块将坏块的地址写入nand flash bbt中。[0014]一种存储介质，其中，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行上述任一项所述的方法。[