NAND闪存的字线偏置电压生成电路的制作方法.docxVIP

PAGE PAGE 1 NAND闪存的字线偏置电压生成电路的制作方法 本创造涉及一种nand闪存的字线偏置电压生成电路，尤其涉及一种能够供应稳定的字线偏置电压的nand闪存的字线偏置电压生成电路。背景技术：通常，闪存为一种在断电后仍将数据保存的非易失性存储器。由于其体积小、轻松轻的同时，与分支介质或光学介质相比，具有较强的抗机械冲击、耐直射光线、耐高温及耐潮湿的特性，因此常被用作便携式存储装置。闪存大致被分为nand型闪存和nor型闪存。在nand型闪存中以区块为单位设置地址线，而在nor型闪存中以单元(cell)为单位设置地址线。因此，nand型闪存虽然具有只能区块存取的缺点，但与nor型闪存相比，可以显著削减配线的数量，从而具有可实现高密度化(高容量化)的优点。由于nand型闪存的这些特性，nand型闪存主要用作便携式存储装置。闪存的操作模式可分为在浮置栅极(floatinggate)中填充电子的编程模式、去除电子的擦除(erase)模式、以及读取数据的读取模式。编程模式为通过向作为字线的把握栅极施加高电压将沟道区中的电子隧穿(tunneling)或注入(injection)到浮置栅极中的过程。相反地，擦除模式为通过向基板施加高电压将浮置栅极中的电子移回到沟道区(基板)中的过程。闪存在一般状况下不行掩盖写入，因此必需首先执行擦除模式后才能写入新的数据。在读取模式下，通过读取依据浮置栅极中电子状态的阈值电压(thresholdvoltage)值的变幻来确定数据。如上所述，对外部装置和内部单元阵列，闪存在读取模式下需通过位线提取数据，而在擦除模式下需通过位线施加高电压。闪存大体上分为nand型和nor型。在nand型闪存中，地址线以区块为单位设置，在nor型闪存中，地址线以单元(cell)为单位设置。因此，nand型闪存虽然具有只能区块存取的缺点，但是与nor型闪存相比，可以显著削减配线的数量，从而具有能够高密度化(高容量化)的优点。由于nand型闪存的这种特性，nand型闪存主要用作便携式存储装置。将内置有nand型闪存的卡型便携式存储装置定义为常用nand闪存卡。关于nand闪存卡结构的示例有韩国专利公开号第10-0648243号(授权日为2006年11月14日，创造名称为用法nand闪存的存储卡)。如以上授权专利中所述，现有的nand闪存卡包括把握器，该把握器用于将内置的nand闪存与如计算机等的主机装置进行相互连接。也就是说，全部nand闪存卡都包括多个缓冲器和作为转换命令及地址的电路的把握器。依据如上所述的nand闪存的结构特性，需要命令和地址的转换。在编程模式下，把握器的数据被输入到存储单元阵列中，在读取模式下，从存储单元阵列输出到把握器中。如此，数据在把握器和存储单元阵列之间被输入或输出，此时依据时钟的周期执行数据的输入和输出。此外，nand闪存以区块为单位执行擦除操作，如上所述，依据nand闪存的操作模式，施加于字线的字线偏置电压存在差异。利用电平转换器(levelshifter)产生这种偏置电压的差异，以下，将具体描述这种现有的nand闪存的字线偏置电压生成电路的结构和作用。图1是现有的nand闪存的字线偏置电压生成电路的结构框图。1所示，现有的nand闪存的字线偏置电压生成电路包括：高电压生成部100，其用于产生高电压；第一电平转换器400及其次电平转换器500，其用于接收所述高电压生成部100的高电压以分别输出依据模式的电压；擦除把握规律300，其用于把握所述其次电平转换器500的操作以产生擦除模式的字线电压；以及字线电压把握部200，其用于依据所述高电压生成部100的选择信号来把握第一高电压开关600和其次高电压开关700，以对第一电平转换器400的电压或其次电平转换器500的电压进行选择并作为字线电压(vwl)进行输出。以下，对于如上述结构的现有的nand闪存的字线偏置电压生成电路，将更为具体地描述其结构和作用。首先，高电压生成部100通常产生编程电压。此时，由高电压生成部100产生的电压被供应到第一电平转换器400和其次电平转换器500。所述第一电平转换器400用于在编程模式的操作中供应字线偏置电压，所述其次电平转换器500用于在擦除模式下供应字线偏置电压。即，第一电平转换器400和其次电平转换器500均接收由所述高电压生成部100产生的电压，并将其转换为不同的字线偏置电压，其中，其次电平转换器500由擦除把握规律300把握，以在擦除模式下产生字线偏置电压。由于擦除模式通常以区块为单位进行，因此对依据区块选择信号(bksel)选择的区块产生字线偏置电压，而擦除把握规律300的作用为将高电压施加到主体(附图中未示出)