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沈阳工程学院毕业设计(论文)
光电材料ZnO薄膜的低温水溶液制备及特性研究
摘要
氧化锌(ZnO)是一种新型的具有纤锌矿晶体结构的直接带隙宽带半导体,常温下禁带宽度为3.37eV,密度为567g/cm3,其晶格常数a=32496、c=52065。氧化锌结构中,每个Zn原子与四个O(氧)原子按四面体排布。氧化锌薄膜存在着锌间隙与氧空位,呈n型半导体氧化物。其在光电领域中具有重要的地位。氧化锌在室温下具有较高的激子束缚能(60meV),因此能够实现受激发射。ZnO具有很多的特殊性质,具有良好的压电性、较高的电子迁移率和荧光性质。
目前,已经有许多方法用来制备氧化锌薄膜,如脉冲激光沉积(PLD
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