电子电路课件第一章2bjt管.pptxVIP

问题：1. 什么是本征半导体？本征激发？复合？半导体导电与导体导电的区别？问题： 2. 什么是 杂质半导体？杂质半导体的类型？多子和少子各是什么？问题： 3. 说出载流子在半导体中的运动形式？北京航空航天大学202教研室问题：1. PN结是如何形成的？它有什么特性？问题： 2. 什么是PN结的击穿现象？包括哪两种形式？问题： 3. 稳压管的特性？二极管的正向可以稳压吗?北京航空航天大学202教研室CCICICBBIBIBIEIEEE1.3 双极型晶体管（BJT, Bipolar Junction Transistors）概念：由三个杂质半导体区（发射区，基区，集电区） 及两个PN结（发射结和集电结）构成的，有两 种载流子（自由电子和空穴）在其内部作扩散、 复合、漂移等复杂运动的PNP或NPN晶体管。NPN型三极管PNP型三极管北京航空航天大学202教研室C集电极CPNBNPB基极PNEE发射极1.3.1 双极型晶体管的结构和制造工艺集电极NPN型PNP型基极发射极北京航空航天大学202教研室C集电极NPBN基极E发射极三个杂质半导体区：集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高北京航空航天大学202教研室C集电极NPBN基极E发射极两个PN结：集电结发射结北京航空航天大学202教研室BJT 的实物图片：小功率型 中功率型 大功率型北京航空航天大学202教研室CNBPIBENEIE1.3.2 BJT工作原理BJT 电流放大原理：发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。基区空穴向发射区的扩散可忽略。ECRB进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。EB北京航空航天大学202教研室IC=ICE+ICBO?ICECICEICBONBPIBENEIEBJT 电流放大原理：集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。ECRBEB北京航空航天大学202教研室IC=ICE+ICBO ?ICECICEICBONBECPIBENIBRBEIEEBBJT 电流放大原理：IB=IBE-ICBO?IBE北京航空航天大学202教研室1.3.2.1 BJT内部载流子的传输过程1.多子通过EB结注入2.载流子在基区内扩散与复合3.集电极对载流子收集BJT结构特点：基区厚度很小；发射区掺杂浓度很高；集电区面积很大。北京航空航天大学202教研室是共基BJT输出端交流短路条件下交流电流增益。是共基BJT的直流电流增益。iE=iC+iBiC=αiE+ICBOiB=iB1+iB2-ICBOiB1+iB2=(1- α)iE1.3.2.2 共基连接电流分配关系对小功率BJT，在相当大的电流范围内，BJT的电流分配关系北京航空航天大学202教研室1.3.2.3 共射（共E）BJT工作原理以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。令：则：β是共射BJT输出交流短路下的交流电流增益北京航空航天大学202教研室1.3.2.4 共射BJT的伏安特性曲线共射BJT的输出特性曲线北京航空航天大学202教研室?AmAVIC测试共射BJT特性曲线的电路：IBECVRBVCEVBEEB北京航空航天大学202教研室IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=-ICBO312VCE(V)691. 截止区iE=0iB= -ICBO此区域中 : IB=-ICBO,IC=ICBO,VBE 死区电压，称为截止区。集电结反偏发射结反偏北京航空航天大学202教研室2. 击穿区vCEV(BR)后，iC开始剧增的区域，iB=0对应的V(BR)为V(BR)CEO；iE=0对应的V(BR)为V(BR)CBO；V(BR)CBOV(BR)CEO。输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。参见 P12 图1.3.4北京航空航天大学202教研室IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312VCE(V)693. 饱和区vCEvBEvCB0此区域中VCE?VBE,集电结正偏，?IBIC，VCE?0.3V称为饱和区。集电结正偏发射结正偏VCE(sat)称为饱和压降硅管：0.4V ~0.8V锗管：0.1V ~0.3V北京航空航天大学202教研室100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312VCE(V)69IC(mA )4. 放大区当VCE大于一定的数值时，IC主要与IB有关，IC≈?IB。iB0vCE≥vBE此区域满足IC≈?IB称为线性区（放大区）。发射结合适正偏集电结反偏北京航空航天大学202教研室共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）