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1; 2,3,5 章所讨论的成膜方法，主要利用的是物质的物理变化，如从固态到气态再到薄膜等，故称其为物理气相沉积
本章所讨论的成膜方法主要利用的是在高温空间（也包括在基板上）以及活性化空间中发生的化学反应，故称其为化学气相沉积。 ;3;CVD 传输和反应步骤图;
沉积速率和表面反应速率 ：
1）温度升高会促进表面反应速率的增加；
2）由于CVD反应的有序性，最慢的反应阶段会成为整个工序过程的瓶颈。反应速率最慢的阶段决定整个沉积过程的速率。
3）反应速率不可能超越反应气体从主气流传输到基板表面的速率。（质量传输限制沉积工艺）
4）低温和低反应压力下，表面反应速率会下降。沉积速率受反应速率的控制。
5） CVD气流动力学对沉积速率及膜层质量有重要影响。
;种类：
根据气源不同：卤素输运法
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
根据反应室压力不同：常压CVD (APCVD)
低压CVD (LPCVD)
超高真空CVD (UHV/CVD)
根据能量增强方式的不同：等离子增强CVD (PECVD)
光增强CVD (PCVD)
特色CVD技术：选择外延CVD
原子层外延 (ALE或ALD);7;8;9;硅（Si）; 高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型半导体。p型半导体和n型半导体结合在一起形成p-n结，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管、场效应管和各种集成电路（包括人们计算机内的芯片和CPU）都是用硅做的原材料。;硅外延的化学气相淀积可分为三个基本类型：
（1）歧化反应，（2）还原反应，（3）高温分解反应。
（1）歧化反应：若氧化作用和还原作用发生在同一分子内部处于同一氧化态的元素上，使该元素的原子（或离子）一部分被氧化，另一部分被欢还原。这种自身的氧化还原称为歧化反应。
（2）还原反应：化学上把物质氧化数降低（得电子）的反应叫做还原反应。
（3）分解反应：它是指一种物质分解成两种或两种以???单质或化合物的反应
;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;25;26;27;28;29;30;31;32;33;34;35;36;37;38;39;40;41;42;43;44;45;46;47;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;4.5.3 三氯硅烷外延生长;59;60;61;62;63;64;65;66;67;68;69;70;71;72;73;74;75;76;77;78;79;80;81;82;83;84;85;86;87;88;89
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