半导体工艺基础第九章续表面钝化.pptVIP

  • 3
  • 0
  • 约6.24千字
  • 约 34页
  • 2021-11-11 发布于浙江
  • 举报
§9.1 概述 一、钝化膜及介质膜的重要性和作用 1、改善半导体器件和集成电路参数 2、增强器件的稳定性和可靠性 二次钝化可强化器件的密封性,屏蔽外界杂质、离子电荷、水汽等对器件的有害影响。 3、提高器件的封装成品率 钝化层为划片、装架、键合等后道工艺处理提供表面的机械保护。 4、其它作用 钝化膜及介质膜还可兼作表面及多层布线的绝缘层。 2020/12/13 * 第一页,共34页。 二、对钝化膜及介质膜性质的一般要求 1、电气性能要求 (1)绝缘性能好。介电强度应大于5MV/cm; (2)介电常数小。除了作MOS电容等电容介质外,介电常数愈小,容性负载则愈小。 (3)能渗透氢。器件制作过程中,硅表面易产生界面态,经H2 退火处理可消除。 (4)离子可控。在做栅介质时,希望能对正电荷或负电荷进行有效控制,以便制作耗尽型或增强型器件。 (5)良好的抗辐射。防止或尽量减小辐射后氧化物电荷或表面能态的产生,提高器件的稳定性和抗干扰能力。 2020/12/13 * 第二页,共34页。 2、对材料物理性质的要求 (1)低的内应力。高的张应力会使薄膜产生裂纹,高的压应力使硅衬底翘曲变形。

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档