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CCD 的基本工作原理CCD 的基本工作原理 CCD （Charged Coupled Device，电荷耦合器件）是由一系列排得很紧密的MOS 电容器组成。它的突出特点是以电荷作为信号，实现电荷的存储和电荷的转移。因此，CCD 工作过程的主要问题是信号电荷的产生、存储、传输和检测[1]。以下将分别从这几个方面讨论CCD 器件的基本工作原理。 MOS 电容器 CCD 是一种固态检测器，由多个光敏像元组成，其中每一个光敏像元就是一个MOS （金属—氧化物—半导体）电容器。但工作原理与MOS 晶体管不同。 CCD 中的MOS 电容器的形成方法是这样的[2]：在 P 型或N 型单晶硅的衬底上用氧化的办法生成一层厚度约为 100 ～150nm 的 SiO2 绝缘层，再在SiO2 表面按一定层次蒸镀一金属电极或多晶硅电极，在衬底和电极间加上一个偏置电压（栅极电压），即形成了一个 MOS电容器 CCD 一般是以P 型硅为衬底，在这种P 型硅衬底中，多数载流子是空穴，少数载流子是电子。在电极施加栅极电压 VG 之前，空穴的分布是均匀的，当电极相对于衬底施加正栅压VG 时，在电极下的空穴被排斥，产生耗尽层，当栅压继续增加，耗尽层将进一步向半导体内延伸，这一耗尽层对于带负电荷的电子而言是一个势能特别低的区域，因此也叫做“势阱”。在耗尽状态时，耗尽区电子和空穴浓度与受主浓度相比是可以忽略不计的，但