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第三讲 电子元器件基本知识;; ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????;弗莱明与真空二极管;真空二极管（实物）;德福雷斯特;德福雷斯特与肖克莱;真空三极管; ????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????;; ??????????????????????????????????????????????;二、半导体晶体管;半导体的三个物理效应，光电导效应、光生伏打效应、整流效应 1873年，英国物理学家施密斯发现晶体硒在光照射下电阻变小的半导体光电现象； 1877年英国物理学家亚当斯(W.G.Adams)发现晶体硒和金属接触在光照射下产生电动势的半导体光生伏打效应， 1906年美国物理学家皮尔士等人发现金属与硅晶体接触能有整流作用的半导体整流效应。半导体的导电特性：热敏性 光敏性 掺杂性;;巴丁、肖克莱、布拉顿;巴丁、肖克莱、布拉顿;第一个晶体管; ??????????????????????????????;;1959发明平面工艺。;二、三极管的应用： ;2．三极管 （1）放大：IB小变化，引起IC大变化。 以小控大。放大系数 小信号放大：中频、高频、低频信号放大； 大位号放大：功率放大，音响输出； （2）振荡：产生各种频率的正弦波信号，收音机、电视机的变频。作信号源，测试仪器用。LC振荡器，RC振荡器。 （3）开关作用 三种工作状态：放大 截止—开关 ; ????????????????????????????????????????;;三．集成电路（IC） ;; ???????????????????????????????????????????????????? ;杰克·基尔比的IC; ????????????????????????????????????????; ???????????????????????????????????;Intel创始人诺伊思（中）、摩尔（右）; ????????????????????????????????????????;;四 大规模，超大规模集成电路 ;半导体存储器的进展： 1965，施密特，MOS、ROM、存储器 1963 INTEL公司，256位 1970， 1K位 1986，1M位，（1.2μm） 1974，4K位，（10μm）1989，4M位，（0.8μm） 1976，16K位，（5μm） 1998，256M位，（0.25μm） 1979，64K位，（3μm） 2001，1G位（1000M） 1983，256K位，（1.5μm） 2010 64G（理论极限256G） ;摩尔（Gordon Moore）;;;Intel4004 CPU;上:1970年1Kb下:2002年1Gb;1962年 12个元件的集成块 **1965年初 近100个元件的集成块 （SSI小 规模集成电路） **1965年底 100-1000个 （MSI中规模集成电 路）； **1971年 1000-10万个 （ LSI大规模集成电 路） **1978年 10万-100万个/30mm2 （ VSLI超大 规模集成电路） 90年代 1亿个以上 （ULSI极大规模集成 电路）； **20世纪末 突破10亿个 （GLSI巨大规模集 成电路）。 ;特征尺寸;右:Intel 酷睿?2 双核处理器 2.83GHz，45nm，晶体管8.2亿个