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前节主要内容回顾;半导体的功函数和电子亲和能;1、金属－n型半导体接触 1） WM＞WS;表面态改变半导体的功函数;§5.2 金属－半导体接触的非平衡态;2 势垒区的宽度、电场和电容 p+n单边突变结 金属和n型半导体接触形成肖特基势垒接触，金属表面有远高于半导体的负电荷密度，半导体近表面区则存在等量的正空间电荷 平衡态势垒区的宽度XD、最大Em和势垒比电容CTS分别为 偏置状态下 U0，半导体一侧的空间电荷区宽度、最大电场强度都随着外加电压的升高而减小，而势垒电容则随之增大； U0，空间电荷区宽度、最大电场强度随着外加电压的升高而变大，而势垒电容则随之减小。;3电流情况;二、正偏肖特基势垒区中的费米能级;;;;广义欧姆定律 ;将 代入积分;四、薄势垒金-半接触的伏安特性;以n型轻掺杂半导体为例，定界面为x=0.;半导体单位体积中能量在E~(E+dE)范围内的电子数;从半导体发射到金属的电子所产生的电流密度 ;;;但是，少子（空穴）扩散电流的大小并不主要决定于热平衡时能带弯曲的程度，而主要决定于加上正向电压后少子在扩散区边界的累积。;六、肖特基势垒接触的特点和应用;