参考: 1.秦增煌《电工学 电子技术》; 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差,工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。对电路进行分析计算时,只要能满足技术指标,就不要过分追究精确的数值。;第1章 半导体二极管和三极管;1.1 半导体的导电特性;1.1.1 本征半导体;硅和锗的共价键结构;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;1.1.2 N型半导体和P型半导体;前一页;杂质半导体的示意表示法;1.2 PN 结; 因浓度差
?
多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ;;2. PN 结加反向电压(反向偏置);PN 结的单向导电性;1.3 二极管;;1.3.2 伏安特性;1.3.3 主要参数;二极管的单向导电性; 1. 在杂质半导体中多子的数量与
(a. 掺杂浓度、b.温度)有关。; 二极管电路分析举例 ;电路如图,求:UAB;两个二极管的阴极接在一起
求:UAB
取 B 点作参考点,断开二极管,分析二极管阳极和阴极的电位。;ui 8V 二极管导通,可看作短路 uo = 8V
ui 8V 二极管截止,可看作开路 uo = ui;1.4 稳压二极管;3. 主要参数;1.5 半导体三极管;B;符号:;1.5.2 电流放大原理;2. 各电极电流关系及电流放大作用;3. 三极管内部载流子的运动规律;3. 三极管内部载流子的运动规律;ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数;输入回路;1. 输入特性;2. 输出特性;IC(mA );IC(mA ); 输出特性三个区域的特点:;15.5.4 主要参数;例1:UCE= 6 V时, 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA;
在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2. 集-基极反向饱和电流 ICBO;3. 集-射极穿透电流 ICEO;4. 集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许耗散功耗PCM;IC;晶体管参数与温度的关系;(1)V1=3.5V, V2=2.9V, V3=12V。;作业:
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