求无限长线电荷在真空中产生的电场。
解:取如图所示高斯面。
由高斯定律,有
分析:电场方向垂直圆柱面。
电场大小只与r有关。
例
典型例题
解:1) 取如图所示高斯面。
在球外区域:ra
分析:电场方向垂直于球面。
电场大小只与r有关。
半径为a的球形带电体,电荷总量Q均匀分布在球体内。
求:(1) (2)
(3)
在球内区域:ra
例
2)解为球坐标系下的表达形式。
3)
解:由高斯定律,可以求得
在媒质内:
体极化电荷分布:
面极化电荷分布:
在球心点电荷处:
例
在线性均匀媒质中,已知电位移矢量 的z分量为
,极化强度
求:介质中的电场强度 和电位移矢量 。
解:由定义,知:
例
半径为a的带电导体球,已知球体电位为U,
求空间电位分布及电场强度分布。
解法一:导体球是等势体。
时:
例
时:
解法二:电荷均匀分布在导体球上,呈点对称。
设导体球带电总量为Q,则可由高斯定理求得,在球外空间,电场强度为:
分析:电场方向垂直于边界,由边界条件可知,在媒质两边 连续
解:设内导体单位长度带电量为
由高斯定律,可以求得两边媒质中,
例
球形电容器内导体半径为a,外球壳半径为b。其间充满介电常数为 和 的两种均匀媒质。设内导体带电荷为q,外球壳接地,求球壳间的电场和电位分布。
分析:电场平行于介质分界面,由边界条件可知,介质两边 相等。
解:令电场强度为 ,由高斯定律
例
同轴线填充两种介质,结构如图所示。两种介质介电常数分别为 和 ,导电率分别为 和 ,设同轴线内外导体电压为U。
求:(1)导体间的 , , ;
(2)分界面上自由电荷分布。
解:这是一个恒定电场边值问题。不能直接应用高斯定理求解。
设单位长度内从内导体流向外导体电流为I。
则:
由边界条件,边界两边电流连续。
例
由导电媒质内电场本构关系,可知媒质内电场为:
2)由边界条件:
平行双线,导线半径为a,导线轴线距离为D
求:平行双线单位长度的电容。(aD)
解:设导线单位长度带电分别为 和 ,则易于求得,在P点处,
导线间电位差为:
例
计算同轴线内外导体间单位长度电容。
解:设同轴线内外导体单位长度带电量分别为 和 ,则内外导体间电场分布为:
则内外导体间电位差为:
内外导体间电容为:
例
由边界条件知在边界两边 连续。
解:设同轴线内导体单位长度带电量为
同轴线内外导体半径分别为a,b,导体间部分填充介质,介质介电常数为 ,如图所示。已知内外导体间电压为U。
求:导体间单位长度内的电场能量。
例
两种方法求电场能量:
或应用导体系统能量求解公式
已知同轴线内外导体半径分别为a,b,导体间填充介质,介质介电常数为 ,导电率为 。已知内外导体间电压为U。
求:内外导体间的 1) ;2) ;3) ;4) ; 5) ;6)
分析:为恒定电场问题。
电荷只存在于导体表面,故可用静电场高斯定理求解。
解法一:应用高斯定理求解。
设内导体单位长度电量为 则
例
解法二:间接求解法
由于内外导体间不存在电荷分布,电位方程为
解法三:恒定电场方法求解
令由内导体流向外导体单位长度总电流强度为I,则
导体球壳,内径为b,外径为c,球壳球心为半径为a导体球,导体球带电量Q,中间充满两种介质,介电系数分别为ε1和ε2,介质分界面如图所示。
求:(1)空间场分布E(r);
(2)空间电位分布;
(3)电容;
(4)系统电场能量。
解:由边界条件知, 连续。
(1)ra,该区域为导体空间,故: =0;
arb,由高斯定理有
例
Q
brc,该区域为导体空间,故: =0;
rc,
(2)求电位分布。
rc,
arb,
ra,
brc,为导体区域,等势体,电位等于外表面电位
(3)电容
(4)总电场能量为
解:根据安培环路定律
当ra时
当ra时
例题
半径为a的无限长直导体内通有电流I,计算空间磁场强度 分布
例题
内、外半径分别为a、b的无限长中空导体圆柱,导体内沿轴向有恒定的均匀传导电流,体电流密度为 导体磁导率为 。求空间各点的磁感应强度
分析:电流均匀分布在导体截面上,呈轴对称分布。
解:根据安培环路定律
在ra区域:
在arb区域:
在rb区域:
所以,空间中的 分布为:
例 无限长线电流位于z轴,介
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