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X 射线复习和思考题 一、名词解释 1、物相分析： 确定材料由哪些相组成（即物相定性分析）和确定各组成相的含量（常以体 积分数或质量分数表示，即物相定量分析） 。 * 2、零层倒易面： 属于同一 [uvw] 晶带的各 (HKL) 晶面对应的倒易矢量 r HKL处于一个平面内 . 这是一个通过倒易点阵原点的倒易面 , 称为零层倒易面。 3、X射线 ：一种波长介于紫外线和 射线之间的具有较短波长的电磁波。 4、K 射线与 K 射线： 管电压增加到某一临界值 （激发电压），使撞击靶材的电子能量 （eV) 足够大，可使靶原子 K 层产生空位 , 其外层电子向 K 层跃迁产生的 X 射线统称为 K 系特征辐 射，其中由 L 层或 M层或更外层电子跃迁产生的 K 系特征辐射分别顺序称为 K ，K ，, 射 线。 5、短波限： 电子与靶材相撞， 其能量 （eV）全部转变为辐射光子能量， 此时光子能量最大、 波长最短，因此连续谱有一个下限波长 0 ，即称为短波限。 6、参比强度： 参比强度是被测物相与刚玉 ( -Al O )按 1 : 1 重量比混合时，被测相最强线峰 2 3 高与刚玉（六方晶系， 113 衍射线）最强线峰高的比值。 7、质量吸收系数： 设 m= / （ 为物质密度） ， 称 m为质量吸收系数， m 为 X 射线通 过单位质量物质时能量的衰减，亦称单位质量物质对 X 射线的吸收。 8、晶带： 在晶体中如果若干个晶面同时平行于某一轴向时，则这些晶面属于同一晶带，而 这个轴向就称为晶带轴。 9、光电效应： 当入射 X 射线光子能量达到某一阈值，可击出物质原子内层电子，产生光电 效应。 10、二次特征辐射 (X 射线荧光辐射 ) ：当高能 X 射线光子击出被照射物质原子的内层电子后， 较外层电子填其空位而产生了次生特征 X 射线（称二次特征辐射） 。 11、相干散射： 相干散射是指入射电子与原子内受核束缚较紧的电子 （如内层电子） 发生弹 性碰撞作用， 其辐射出的电磁波的波长与频率与入射电磁波完全相同， 新的散射波之间可以 发生相互干涉。 二、简答，论述，计算题 1、辨析点阵与阵胞、点阵与晶体结构、阵胞与晶胞的关系。 答：（1）点阵与阵胞： 点阵是为了描述晶体中原子的排列规则，将每一个原子抽象视为一个 几何点（称为阵点） ，从而得到一个按一定规则排列分布的无数多个阵点组成的空间阵列， 称为空间点阵或晶体点阵， 简称点阵。 阵胞 ( 晶胞 ) 是在点阵中选择一个由阵点连接而成的几 何图形 ( 一般为平行六面体 ) 作为点阵的基本单元来表达晶体结构的周期性， 称为阵胞 ( 晶胞 ) 。 阵胞在空间的重复堆砌即形成空间点阵。 （2 ）点阵与晶体结构： 若将组成晶体的原子（离子、分子等，以下称为结构基元）置于点 阵的各个阵点上，则将还原为晶体结构，即： 晶体结构 = 空间点阵 + 结构基元 。 （3 ）阵胞与晶胞：同一基元结构从不同角度的表达。 4、何为晶带，说明晶带定律？ 答：（1）在晶体中如果若干个晶面同时平行于某一轴向时，则这些晶面属于同一晶带， 而这 个轴向就称为晶带轴。 （2 ）若晶带轴的方向指数为 [uvw] ，晶带中某晶面的指数为 (HKL) ，则有 uH + vK + wL = 0