第章《电工电子技术》.pptxVIP

第9章 常用半导体器件 半导体根底知识半导体二极管半导体三极管场效应晶体管本章小结本章学习要点9.1 半导体根底知识 根据导电性能的不同，自然界的物质大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。其中，容易导电、电阻率小于10-4Ω·cm的物质称为导体，如铜、铝、银等金属材料；很难导电、电阻率大于104Ω·cm的物质称为绝缘体，如塑料、橡胶、陶瓷等材料；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物等。 半导体之所以被作为制造电子器件的主要材料在于它具有热敏性、光敏性和掺杂性。 热敏性：是指半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加的特性。利用这种特性可制成各种热敏元件，如热敏电阻等。 光敏性：是指半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性。利用这种特性可制成光电二极管、光电三极管和光敏电阻等。 掺杂性：是指半导体的导电能力因掺入微量杂质而发生很大变化的特性。利用这种特性可制成二极管、三极管和场效应管等。 1．本征半导体 本征半导体是指完全纯洁的、具有晶体结构的半导体。 在电子器件中，用得最多的半导体材料是硅和锗。将锗和硅材料提纯并形成单晶体后，所有原子便根本上整齐排列了，其平面示意图如以下图所示。 本征半导体在绝对温度T＝0K和没有外界影响的条件下，价电子全部束缚在共价键中。当温度升高或受光照时，半导体共价键中的价电子会从外界获得一定能量，少数价电子将挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴，如以下图所示。 显然，在本征半导体中，自由电子和空穴是成对出现的，电子与空穴的数量总是相等的，称为电子—空穴对。 我们把在热或光的作用下，本征半导体中产生电子—空穴对的现象称为本征激发。 共价键中出现空穴后，在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子就可填补到这个空穴上，而在这个价电子原来的位置上又会留下新的空穴，以后其他价电子又可转移到这个新的空穴上。 为了区别于自由电子的运动，我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动，认为空穴是一种带正电荷的载流子，它所带的电荷和电子的电荷大小相等，符号相反。由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子和空穴。 2．杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。根据掺入的杂质不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体两种。 〔1〕N型半导体 在本征半导体硅〔或锗〕中掺入微量五价元素磷，由于磷原子有5个价电子，它与周围的硅原子组成共价键时，多余的一个价电子很容易摆脱原子核的束缚成为自由电子。这种半导体导电主要靠电子，所以称为电子型半导体或N型半导体，如以下图所示。N型半导体中，自由电子是多子，空穴是少子。 〔2〕P型半导体 在本征半导体硅〔或锗〕中掺入微量三价元素硼，由于硼原子只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，因缺少一个价电子而形成一个空穴，相邻的价电子很容易填补这个空穴，形成新的空穴。这种半导体导电主要靠空穴，所以称为空穴型半导体或P型半导体，如以下图所示。P型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。 1．PN结的形成 在P型半导体和N型半导体交界处，由于P型半导体中的空穴多于电子，N型半导体中的电子多于空穴，所以，在交界面附近将产生多数载流子的扩散运动。P区的空穴向N区扩散，与N区的电子复合；N区的电子向P区扩散，与N区的空穴复合。 由于这种扩散运动，N区失掉电子产生正离子，P区得到电子产生负离子，结果在界面两侧形成了由等量正、负离子组成的空间电荷区。在这个区域内，由于多数载流子已扩散到对方并复合掉，好似耗尽了一样，因此，空间电荷区又称为耗尽层。 由于空间电荷区的形成，建立了由N区指向P区的内电场。显然，内电场对多数载流子的扩散运动起阻碍作用，故空间电荷区也称为阻挡层。 同时，内电场有助于少数载流子的漂移运动，因此，在内电场作用下，N区的空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移，其结果是使空间电荷区变窄，内电场削弱。显然，扩散运动与漂移运动是对立的，当二者的运动到达动态平衡时，空间电荷区的宽度便根本稳定下来。这种宽度稳定的空间电荷区称为PN结。 2．PN结的单向导电性 〔1〕正向偏置 给PN结外加正向偏置电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，称PN结为正向偏置，如以下图所示。 由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反，因此，扩散运动与漂移运动的平衡被破坏，使整个空间电荷区变窄，并形成较大的扩散电流，方向由P区指向N区，称为正向电流。此时，PN结处于导通状态。 〔2〕反向偏置 给PN结加反向偏置电压，即N区接电源正极，P区接电源负极，称PN结反向偏置，如以下图所示。 由于外加电场与内电场的方向一致，因而加强了内电场，促进了少子的漂移运动，阻碍了多子的扩散运动，使空间电荷区